一种基于二维材料面内各向异性的表面型忆阻集成器件

摘要

本发明属于微电子技术领域，公开了一种基于二维材料面内各向异性的表面型忆阻集成器件及其制备方法，该表面型忆阻集成器件包括：基底、介质层、公共电极和末端电极；公共电极为活性金属材料，末端电极为惰性导电材料，介质层为类黑磷层状结构的二维原子晶体材料且呈L型，L型的两边分别位于二维原子晶体的zigzag晶向和armchair晶向上，公共电极位于L型的转角处，末端电极有两个且分别位于L型的两端。本发明利用金属离子在二维原子晶体两种晶向上的迁移势垒存在差异的特点，沿着介质材料两个不同的晶向制备了一个包含两个忆阻单元的集成器件，通过介质材料自身的各向异性对导电细丝的调制在同一设备中实现不同的功能。