基于22nm工艺条件的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于22nm工艺条件的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法，其自下而上包括：衬底层(1)、P阱(2)、埋氧层(3)、Si层(4)、SiO2栅氧化层(13)、HfO2高k栅介质层(14)和金属栅(18)；P阱中自左向右依次插有三个浅槽隔离区(5，6，7)；且前两个浅槽隔离区之间为背栅(8)；栅极的两侧为左右两个侧墙(15，16)；每个侧墙下方为轻掺杂源漏区(17)，该区两侧分别为源区(9)与源区抬起(11)和漏区(10)与漏区抬起(12)。本发明由于增设了背栅和源漏抬高区域，并在漏区注入Ge元素，减小了寄生效应，提高了器件工作可靠性和抗单粒子辐照能力，可用于航空航天电子设备。