基于快速协方差矩阵自适应进化策略的曲线型逆向光刻方法

摘要

基于快速协方差矩阵自适应进化策略(Fast Covariance Matrix Adaptation EvolutionStrategy,Fast CMA‑ES)的曲线型逆向光刻(Inverse Lithography,IL)方法。所述方法采用像素表征掩模图形，每个像素代表该位置的掩模透过率。以不同曝光剂量偏差和离焦量条件下光刻胶图形与目标图形之间的图形误差的加权叠加作为评价函数，采用快速协方差矩阵自适应进化策略优化掩模图形。本方法将表征解空间分布的协方差矩阵近似为仅由两个演化路径构成的简单模型的集合，借助协方差矩阵的低秩近似来学习主要的解搜索方向和变量相关性，自适应地调整搜索步长，提高了收敛效率及寻优能力，有效提高了光刻成像质量及工艺鲁棒性。