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公开/公告号CN113517340A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-19
原文格式PDF
申请/专利权人 西安理工大学;
申请/专利号CN202110721700.X
发明设计人 刘静;吴晗;王琳倩;屠家昆;
申请日2021-06-28
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/40(20060101);H01L21/335(20060101);
代理机构11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司;
代理人杨洲
地址 710048 陕西省西安市金花南路5号
入库时间 2023-06-19 12:54:37
机译: 具有单场板金属的GaN双场板器件
机译: 具有单场金属板的GaN双场板器件
机译: 双壳贝类软体动物美国牡蛎,一种用于牡蛎养殖场的储存方法,包括在不改变软体动物取向的情况下储存软体动物,并在板之间保持软体动物,以使通过尖端和跟部的轴线水平
机译:具有漏场板和浮置场板的肖特基漏极AlGaN / GaN HEMT的反向阻挡特性和机理
机译:高功率凹槽AlGaN / GaN异质结现场板FET
机译:使用基于物理的紧凑模型对场板增强型AlGaN / GaN HEMT器件进行改进的电荷建模
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:场板对AlGaN / GaN HEMT器件的RF性能的影响
机译:Ni栅alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的场致缺陷形貌。