AlGaN/GaN HEMTs; enhancement-mode; fluorinated-gate; recessed gate;
机译:具有高RF性能的非凹陷门增强模式AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:DC和RF特性的增强型Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT由浅凹槽制成的氟处理和深凹陷
机译:增强模式p-GaN栅极AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的正向偏置栅极击穿机制
机译:性能改进的常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,在凹入的栅极下方具有设计的p-GaN区域
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:凹陷栅极GaN高电子迁移率晶体管二维电子气体电荷密度的分析模型