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氧化硅在金属表面上的选择性沉积

摘要

提供了用于相对于介电表面在金属或金属性表面上选择性沉积氧化硅膜的方法。可相对于金属或金属性表面选择性地钝化衬底的介电表面,如通过将衬底暴露于甲硅烷基化剂。然后,通过使金属表面与金属催化剂和包含硅烷醇的硅前体接触来相对于经钝化的氧化物表面选择性地在金属或金属性表面上沉积氧化硅。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-04-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 专利申请号:202110323241X 申请日:20210326

    实质审查的生效

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