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公开/公告号CN113430650A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-24
原文格式PDF
申请/专利权人 黑龙江工程学院;
申请/专利号CN202110709471.X
发明设计人 马天慧;张晓萌;李兆清;刘英;张红晨;林鹏;
申请日2021-06-25
分类号C30B29/46(20060101);C30B11/02(20060101);
代理机构23210 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙);
代理人王艳萍
地址 150000 黑龙江省哈尔滨市道外区东直路234号
入库时间 2023-06-19 12:42:10
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-26
授权
发明专利权授予
机译: 单晶体生长装置的过滤装置,其能够防止单晶体生长装置和包括该过滤装置的单晶体生长装置的内部压力的控制不良。
机译: 单晶体方法和单晶体原始材料,能够生长半绝缘单晶体
机译: 供应熔融原料的设备和制造多晶体物质或单晶体物质的设备
机译:LiGaGe _2Se _6:一种新型的低熔点红外非线性光学材料
机译:SMS单晶体和多晶在均匀性范围内的远红外反射光谱研究
机译:氘血浆辐射后钨多晶体和单晶体的结构研究方法
机译:通过单晶体和多晶体光学材料从中红外超短脉冲激光传播中产生宽光谱分量
机译:晶体超晶格((TiSe2)(l)(NbSe(2))(m))(n)的合成和表征:一种使用多层反应物的新型薄膜生长技术。
机译:体积变化对简单晶体红外振动的影响
机译:铁磁性各向异性常数,饱和度造值域和残余磁化,及其对单晶体和多晶铝的多晶的去磁化方法的依赖性
机译:地球和微重力溶液中生长的单晶体的生长与特征