公开/公告号CN113424379A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 欧司朗光电半导体有限公司;
申请/专利号CN202080013486.6
发明设计人 延斯·埃贝克;
申请日2020-01-16
分类号H01S5/042(20060101);H01S5/20(20060101);H01S5/32(20060101);H01S5/22(20060101);H01S5/028(20060101);
代理机构11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人邰凤珠;谢攀
地址 德国雷根斯堡
入库时间 2023-06-19 12:38:50
机译: 边缘发射半导电激光二极管及制造各种边缘发射半导电激光二极管的方法
机译: 边缘发射半导体激光二极管及多种制造边缘发射半导体激光二极管的方法
机译: 具有减小的器件电阻并且能够执行高输出操作的表面发射激光二极管,表面发射激光二极管阵列,电子照相系统,表面发射激光二极管模块,光通信系统,使用该表面发射激光二极管的光学互连系统以及表面发射激光二极管的制造方法