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边缘发射激光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种边缘发射的激光二极管,其包括半导体层堆叠,所述半导体层堆叠的生长方向确定垂直方向,并且其中,半导体层堆叠包括有源层和波导层。热应力元件布置成与半导体层堆叠至少间接接触,其中,热应力元件设置成用于在波导层中产生热诱导的机械应力,所述机械应力抵消热透镜的形成。

著录项

  • 公开/公告号CN113424379A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-09-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 欧司朗光电半导体有限公司;

    申请/专利号CN202080013486.6

  • 发明设计人 延斯·埃贝克;

    申请日2020-01-16

  • 分类号H01S5/042(20060101);H01S5/20(20060101);H01S5/32(20060101);H01S5/22(20060101);H01S5/028(20060101);

  • 代理机构11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人邰凤珠;谢攀

  • 地址 德国雷根斯堡

  • 入库时间 2023-06-19 12:38:50

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