公开/公告号CN113193089A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南汇思光电科技有限公司;
申请/专利号CN202110482973.3
申请日2021-04-30
分类号H01L33/34(20100101);H01L33/06(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构43220 长沙市护航专利代理事务所(特殊普通合伙);
代理人莫晓齐
地址 410005 湖南省长沙市岳麓山大学科技城岳麓街道科技创意园5栋238房
入库时间 2023-06-19 12:02:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-06-24
授权
发明专利权授予
机译: MOS晶体管在硅基板上的组件,该绝缘层具有界定每个有源区的绝缘层和位于每个有源区外围的强掺杂区
机译: 一种具有漏区和源区的原位生产的晶体管器件的制备方法以及相应的晶体管器件,所述漏极区和源极区具有可变形的端基合金和逐渐变化的掺杂剂分布
机译: 基于CSI兼容层的硅基物质