公开/公告号CN113066782A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN202110278611.2
申请日2021-03-15
分类号H01L23/544(20060101);H01L21/66(20060101);G01R31/26(20140101);G01B21/20(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人周耀君
地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号
入库时间 2023-06-19 11:42:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-08-18
授权
发明专利权授予
机译: 在电迁移测试结构中电测试电迁移的系统和方法
机译: 电迁移测试结构对于微电子元件,在导电结构和导电辅助结构之间形成了导电连接
机译: 晶片表面抗蚀剂结构的检查方法使用测试结构,其中测试元素设置为测量标尺,并承受不对称的不平衡毛细管力