一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法，其中所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂包括以下重量百分比的原料：23～65％极性单体、23～65％非极性单体、25～55％多羟基抗刻蚀单体。本发明实施例所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂在不损失原有193nm光刻胶树脂性能的基础上，通过在光刻胶树脂中引入含有多羟基抗刻蚀基团，不仅促进光刻胶树脂在显影后的溶解性，而且显著减小了显影后的光刻胶的残留，改善了线条边缘粗糙度，减少光刻胶缺陷率。