公开/公告号CN112750795A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;
申请/专利号CN202011188718.X
申请日2020-10-30
分类号H01L23/31(20060101);H01L23/498(20060101);H01L21/48(20060101);H01L21/56(20060101);
代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人袁策
地址 美国德克萨斯州
入库时间 2023-06-19 10:51:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/31 专利申请号:202011188718X 申请日:20201030
实质审查的生效
机译: 半导体器件和使用具有基底和导电柱的衬底在嵌入式管芯封装中形成垂直互连结构的方法
机译: 半导体器件和使用具有基底和导电柱的衬底在嵌入式管芯封装中形成垂直互连结构的方法
机译: 半导体器件和使用具有基底和导电柱的衬底在嵌入式管芯封装中形成垂直互连结构的方法