一种液态金衬底表面二硫化钨单晶生长方法

摘要

本发明公开了一种液态金衬底表面二硫化钨单晶生长方法。步骤是：三氧化钨粉末置于石英舟中，将金衬底置于蓝宝石衬底表面，再置于石英凹槽中，将石英管放入系统抽真空，对系统进行升温，达到生长温度后对硫粉进行加热，向系统内通入硫蒸汽，开始进行WS2单晶的生长。以三氧化钨作为原料，利用硫蒸气在高温下对三氧化钨的硫化进行硫化钨的生长，生长过程中采用金箔作为衬底，将金衬底加热至1050℃，金衬底的熔点1040℃，在金熔点附近，金箔表面熔化呈液体状，在此状态下多晶金表面的晶界消失，衬底表面状态高度一致，WS2在此衬底上进行生长时，不同成核点处的晶向能够保持一致，最终这些晶向一致的WS2单晶合并生长获得大尺寸的单晶。