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公开/公告号CN112363331A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN202010922441.2
发明设计人 戴道锌;潘炳呈;
申请日2020-09-04
分类号G02F1/035(20060101);G02B6/122(20060101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人林超
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2023-06-19 09:52:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-05-27
授权
发明专利权授予
机译: 基于硅基铌酸锂膜电光调制器阵列及其集成方法
机译: 作为电光调制器,铌酸锂空电光调制器具有掺杂半导体-金属接触断路器极板偏置电极
机译: 基于铌酸锂 - 硅晶片的高速低压电光调制器
机译:薄膜锂铌酸锂和氮化硅混合平台上的副电压电光调制器
机译:一种新颖的宽带铌酸锂电光调制器
机译:铌酸锂光子晶体电光调制器
机译:基于慢波结构的薄膜铌酸锂电光调制器
机译:硅基光学微谐振器设备:多边形微盘通道滤波器和电光调制器/开关
机译:通过硅光子混合波导在铌酸锂中的光波电路
机译:第一锂铌酸锂元表面电光调制器实现
机译:在低温下表征铌酸锂电光调制器