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半导体器件关键尺寸量测方法及取得SEM图像的方法

摘要

本发明涉及半导体器件关键尺寸量测方法,涉及半导体集成电路量测技术,在进行第n次扫描获取SEM图像后,实时计算SEM图像和OPC模型预测版图数据轮廓的偏移量(ΔXn,ΔYn),并当偏移量ΔXn或Δyn大于一阈值时,得出电子束的补正值(ax,ay)和硅片台的补正值(Ax,Ay),关键尺寸扫描电子显微镜机台获得电子束的补正值(ax,ay)和硅片台的补正值(Ax,Ay),并补正到第n+1次的扫描获取SEM图像过程中,以实现SEM图像偏移补正,从而提高SEM图像和OPC模型预测版图数据轮廓的对准率,避免和降低因SEM图像和OPC模型预测版图数据轮廓的偏移过大导致的对准无法补偿的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112259469A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN202011132183.4

  • 发明设计人 吴林;孟鸿林;张辰明;魏芳;

    申请日2020-10-21

  • 分类号H01L21/66(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人张彦敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2023-06-19 09:38:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-10-18

    授权

    发明专利权授予

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