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精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置

摘要

本发明的课题在于提供一种蚀刻速率优异,并能够提高生产率的精细结构体的制造方法以及精细结构体的制造装置。本发明的精细结构体的制造方法是通过进行蚀刻的精细结构体的制造方法,其特征在于,使用IAD(离子辅助沉积)装置(1),将反应性气体导入该IAD装置(1)的腔室(2)内的等离子体源(7)并进行蚀刻。

著录项

  • 公开/公告号CN112239843A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-01-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 柯尼卡美能达株式会社;

    申请/专利号CN202010685323.4

  • 发明设计人 水町靖;多田一成;粕谷仁一;

    申请日2020-07-16

  • 分类号C23C14/02(20060101);C23C14/26(20060101);C23C14/30(20060101);C23C14/58(20060101);C23C14/56(20060101);G02B1/115(20150101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人李洋;杨林森

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 09:36:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/02 专利申请号:2020106853234 申请公布日:20210119

    发明专利申请公布后的视为撤回

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