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公开/公告号CN112166167A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 三星SDI株式会社;
申请/专利号CN201980034252.7
发明设计人 黄基煜;高尙兰;赵娟振;崔正敏;韩权愚;张俊英;尹龙云;
申请日2019-04-05
分类号C09K13/06(20060101);H01L21/306(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人杨贝贝;臧建明
地址 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税路150-20号(邮递区号:17084)
入库时间 2023-06-19 09:23:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-07-05
授权
发明专利权授予
机译: 能均匀地蚀刻被蚀刻层整体的蚀刻溶液组成以及使用该蚀刻溶液组合物制造半导体装置的方法
机译: 一种用于蚀刻氮化硅膜的组合物和使用该组合物和氮化硅膜蚀刻方法。
机译: 干蚀刻气体组合物含有含硫氟碳化合物,以及使用所述干蚀刻气体组成的干蚀刻方法
机译:使用SF_6 / N_2气体混合物最大化反应离子蚀刻(RIE)参数的优化,以最大化硅的横向蚀刻速率:用Au部件蚀刻MEMS中的Si替换Si
机译:薄层蚀刻的替代方法:应用于硅锗上停止的氮化物隔离层蚀刻
机译:锡硬掩模湿蚀刻和蚀刻残留物在BEOL中去除先进技术节点:材料沉积和蚀刻组成的影响(PPT)
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:勘误表:使用Fuji Ortho LC玻璃离聚物在干湿条件下对已蚀刻和未蚀刻搪瓷的托槽粘结强度比较
机译:酸蚀刻为用于玻璃陶瓷修复物的表面处理方法,第1部分:酸,应用协议和蚀刻效果
机译:用于分析Bridgman生长半导体晶体的改进蚀刻和蚀刻方法的测试和进一步开发,重点是铅 - 锡 - 碲化物