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一种新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器

摘要

本发明公开了一种新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器,包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、顶部沟道、肖特基接触超级势垒整流器元包序列和上电极层。所述新型的沟槽型MOS势垒肖特基接触超势垒整流器属于超级势垒整流器类型,其肖特基接触超级势垒整流器元包序列部分能够使该器件获得更好的电性性能和热稳定性,其顶部沟道能够使该器件获得更好的正向浪涌可靠性能力并减小导通电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN111668314A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆大学;

    申请/专利号CN202010500880.4

  • 发明设计人 陈文锁;孙启明;冉晴月;高闻浩;

    申请日2020-06-04

  • 分类号H01L29/872(20060101);H01L29/06(20060101);

  • 代理机构50237 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王翔

  • 地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

  • 入库时间 2023-06-19 08:16:01

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