一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管

摘要

本文提出了一种新型超势垒快恢复埋沟MOS二极管(BCMD).理论分析了BCMD的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对BCMD进行了模拟仿真分析,结果表明:在相同耐压110V下,BCMD的正向压降(0.3 V)比常规PN结二极管(0.7 V)小58％,反向恢复时间(8ns)比常规PN结二极管(28 ns)小72％,反向峰值电流(0.8A)比常规PN结二极管(1.1 A)小28％,反向泄漏电流只比pn结二极管大两个量级.通过实际流片和测试,验证了BCMD的优良特性.