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银纳米线及其制备方法、银纳米线薄膜及复合薄膜

摘要

本发明提供一种银纳米线的制备方法,包括以下步骤:将0.1~0.2mol/L的硝酸银乙二醇溶液加入到预热后的乙二醇中,得到混合溶液A;将控制剂加入0.3~0.7mol/L的聚乙烯吡咯烷酮乙二醇溶液中,得到混合溶液B;将混合溶液B和混合溶液A进行混合,聚乙烯吡咯烷酮与硝酸银的摩尔比为3:1~7:1,加热至160~180℃反应60~70min后,得到反应液C;将反应液C冷却至20~30℃,得到固液混合物D,加入丙酮溶液,离心分离后得到沉淀物A。本发明提供一种简单易控制的银纳米线制备方法,并获得了尺寸均一的银纳米线,将银纳米线组装成银纳米线薄膜后,再与PVA薄膜、ITO薄膜或AZO薄膜共同组装成银纳米线复合薄膜,显著提高了透明导电膜的导电率,同时兼具良好的光透过率。

著录项

  • 公开/公告号CN108971510A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-12-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳清华大学研究院;

    申请/专利号CN201810832642.6

  • 申请日2018-07-26

  • 分类号B22F9/24(20060101);B22F1/00(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构44311 深圳市鼎言知识产权代理有限公司;

  • 代理人曾昭毅;郑海威

  • 地址 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园南区深圳清华大学研究院大楼A302室

  • 入库时间 2023-06-19 07:37:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):B22F9/24 申请日:20180726

    实质审查的生效

  • 2018-12-11

    公开

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