基于隧穿场效应晶体管（TFET）的高密度和低功率时序

摘要

描述了一种装置，所述装置包括：第一p型隧穿场效应晶体管(TFET)；第一n型TFET，所述第一n型TFET与所述第一p型TFET串联耦合；第一节点，所述第一节点耦合至所述第一p型和n型TFET的栅极端子；第一时钟节点，所述第一时钟节点耦合至所述第一TFET的源极端子，所述第一时钟节点用于提供第一时钟；以及第二时钟节点，所述第二时钟节点耦合至所述第二TFET的源极端子，所述第二时钟节点用于提供第二时钟。