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一种通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法

摘要

本发明提出一种通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法,包括下列步骤:将光刻的工艺要求分割成两次光刻的组合;利用第一光罩对工艺图形进行第一次光刻处理;利用第二光罩对工艺图形进行第二次光刻处理;其中,所述第一光罩和第二光罩组合形成的工艺窗口图形为工艺要求的像素尺寸,所述第一光罩和第二光罩为1D沟槽图形光罩。本发明提出的通过双重图形技术增加高深宽比光刻工艺窗口的方法,针对高深宽比的层次,当像素尺寸逐渐减小,目标线宽减小的情况下,采用双重图形技术将1层2D点图形拆成2层1D沟槽图形同时结合PSM光罩的工艺方式,增加高深宽比层次的工艺窗口。

著录项

  • 公开/公告号CN107731664A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201710987040.3

  • 发明设计人 张涛;王晓龙;李德建;吴鹏;

    申请日2017-10-20

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

  • 入库时间 2023-06-19 04:40:01

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20171020

    实质审查的生效

  • 2018-02-23

    公开

    公开

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