双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀

摘要

由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,通常的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求.因此文章提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单晶硅的掩蔽层,单晶硅作为刻蚀石英晶体的掩蔽层.ICP刻蚀过程使用SF6作为刻蚀气体、C4H8作为钝化气体、He作为冷却气体.控制好气体的流量和配比,选择合适的射频功率,能刻蚀出深度为30 μm,宽度为50 μm的深槽.该工艺对开发新型石英晶体器件有积极的意义.