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涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的III族氮化物边发射激光二极管的方法和器件

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摘要

描述了具有高限制因子和晶格匹配的多孔覆层的边发射激光二极管。所述激光二极管可以由III族氮化物材料的层形成。可以对覆层进行电化学蚀刻以形成与器件的有源结具有高折射率对比度的多孔覆层。可以沉积透明导电氧化物层以形成具有高折射率对比度和低电阻率的顶侧覆层。

著录项

  • 公开/公告号CN107710381A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 耶鲁大学;

    申请/专利号CN201680035900.7

  • 发明设计人 韩重;李玉峰;袁歌;

    申请日2016-05-19

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/306(20060101);H01L21/326(20060101);H01L33/32(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人蔡胜有;冷永华

  • 地址 美国康涅狄格州

  • 入库时间 2023-06-19 04:35:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-03-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20160519

    实质审查的生效

  • 2018-02-16

    公开

    公开

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