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寺地德之; 入江正丈; 远藤城一; 木村谦一; 王春蕾; 伊藤利道;
大阪大学工学部电气工学科;
击穿电压; 铝肖特基二极管; CVD金刚石膜; 同质外延;
机译:氧化硼掺杂同质外延金刚石膜上镍/金刚石肖特基二极管电容-电压特性的表征
机译:在p型CVD金刚石层上合成的高击穿电压肖特基二极管
机译:轻掺杂同质外延金刚石上形成的横向型肖特基二极管的电场击穿
机译:高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进高击穿电压和小型化的结构改进制成垂直2DHG金刚石金刚石MOSFET
机译:多晶和同质外延金刚石膜的热等离子体化学气相沉积(CVD)。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:具有外延和多晶金刚石的高击穿电压场效应晶体管
机译:通过微波等离子体辅助化学气相沉积在高温下高生长率同质外延金刚石膜沉积
机译:肖特基二极管具有高击穿电压和使用双P型外延层的浪涌电流能力
机译:具有高击穿电压和浪涌电流能力的双p型外延层的肖特基二极管
机译:肖特基二极管具有高的击穿电压和使用双P型外延层的浪涌电流能力
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