首页> 中国专利> 高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路

高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路

摘要

本发明公开了一种高精度带隙基准曲率补偿方法及高精度带隙基准电路,其利用工作在亚阈值区的两个MOSFET(金属‑氧化物‑半导体场效应管)的栅源电压差△VGS补偿传统低压BJT(双极性晶体管)带隙基准的高次曲率。所述高精度带隙基准电路由MOSFET带隙基准结合低压BJT带隙基准构成。其中,MOSFET带隙基准采用MOSFET产生PTAT(与绝对温度成正比)电压;低压BJT带隙基准采用BJT产生PTAT电压。MOSFET带隙基准的输出具有正的二次温度系数;典型低压BJT带隙基准的输出具有负的二次温度系数。所述高精度带隙基准电路将上述两种类型的带隙基准输出加权相加,完全抵消了输出的二次温度系数,部分抵消了三次温度系数,实现了高次曲率补偿,使得输出的温度系数更小,实现了高精度的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN107704014A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 马彪;

    申请/专利号CN201711100948.4

  • 发明设计人 马彪;

    申请日2017-11-10

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518000 广东省深圳市福田区福田南路皇御苑一期2栋2403

  • 入库时间 2023-06-19 04:35:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G05F3/26 申请公布日:20180216 申请日:20171110

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-03-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F3/26 申请日:20171110

    实质审查的生效

  • 2018-02-16

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号