一种基于氮化物量子点的共振隧穿二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于氮化物量子点的共振隧穿二极管器件及其制备方法，隧穿二极管核心部分是夹在氮化物势垒的GaN或者InGaN量子点，通过聚焦激光光束的照射，可以实现定位和操纵单量子态。本发明的优点在于综合氮化物的宽禁带和量子点提供的分裂能级等特点，使得本方法十分适用于光谱范围较宽的微弱光探测。所述外延生长方法还可以通过调节InGaN中的In组分实现特定波长的光探测，而且外延结构和器件结构相对简单，条件温和，具有广泛的应用价值。