新型纳米器件——共振隧穿二极管的研究

摘要

共振隧穿二极管(Resonant Tummeling Diode)是一种基于量子隧穿现象的新型纳米器件.文章采用分子束外延技术,生长了两种AlAs/GaAs/InGaAs/AlAs材料结构来制作共振隧穿二极管(RTD),首次在国内研制成功能在常温下工作的RTD,室温电流峰谷比达到了5:1.把RTD具有物理意义的电流-电压方程通过PSPICE的电压控制电流源建立起电路模型,并以此为基础模拟出了以RTD为驱动器,以电阻本身为负载的电路双稳态特性.为了分析其交流特性,使用微波探针和HP 8510C网络分析仪在45 MHz到26.5GHz的频率范围内对管芯进行了在片测试,结果显示其最高振荡频率为26.5GHz,并通过拟合的方法提取了基等效电路参数.