一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法和半导体结构

摘要

本发明特别涉及一种改善PETEOS薄膜缺陷的方法和半导体结构。所述改善PETEOS薄膜缺陷的方法包括以下步骤：步骤1，在半导体衬底上沉积形成PETEOS薄膜；步骤2，向所述半导体衬底所在的工艺腔室内通入第一反应气体和第二反应气体，对第一反应气体和第二反应气体的混合气体进行激发形成等离子体，利用所述等离子体对PETEOS薄膜的上表面进行等离子体处理；所述第一反应气体为氧化性气体，所述第二反应气体为惰性气体或氮气。通过本发明的方法可以增加薄膜表面活性，有效降低薄膜表面氢键含量，从而改善薄膜表面小丘缺陷，满足现有双重曝光工艺的技术要求。