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一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法

摘要

本发明公开了一种分析工艺参数对薄膜结构和性能影响机理的方法。所述方法采用中频磁控溅射技术在硅片和石英片上沉积了靶电流和气体流量不同的DLC和Ti‑DLC层,采用X射线衍射仪分析薄膜的成分;用分光光度计测量样品的透射率及吸收率;用拉曼光谱分析仪表征非晶碳层的价键结构;用三维白光表面轮廓仪检测膜层的表面粗糙度和厚度,考察靶电流和气体流量对薄膜结构及光学性能的影响,澄清工艺参数对薄膜结构和性能影响的机理。通过所述方法,可以清晰地考察靶电流和气体流量如何影响sp

著录项

  • 公开/公告号CN106706038A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国地质大学(北京);

    申请/专利号CN201710019641.5

  • 发明设计人 于翔;杨子江;蔡胜挺;

    申请日2017-01-11

  • 分类号G01D21/02;

  • 代理机构北京中誉威圣知识产权代理有限公司;

  • 代理人蒋常雪

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路29号

  • 入库时间 2023-06-19 02:13:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-28

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01D21/02 申请公布日:20170524 申请日:20170111

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01D21/02 申请日:20170111

    实质审查的生效

  • 2017-05-24

    公开

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