首页> 中国专利> 场效应晶体管以及用于运行场效应晶体管的方法和控制器

场效应晶体管以及用于运行场效应晶体管的方法和控制器

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种场效应晶体管（200），其特征在于，场效应晶体管（200）的控制电极（204）被构造成带有两个接头（210、214）的用于加热控制电极（204）的加热单元（216），特别是其中，加热单元（216）被构造成加热曲折结构（216）。

著录项

公开/公告号CN106057881A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-10-26

原文格式PDF
申请/专利权人罗伯特·博世有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201610226373.X
发明设计人 P.诺尔蒂;
展开▼

申请日2016-04-13
分类号H01L29/772;G01N27/414;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人梁冰
地址德国斯图加特
入库时间 2023-06-19 00:45:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/772 申请日:20160413

实质审查的生效
2016-10-26

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 场效应晶体管以及用于运行场效应晶体管的方法和控制器 [P] . 中国专利： CN106057881A . 2016-10-26
2. 导电薄膜、用于形成导电薄膜的涂布液、场效应晶体管、以及用于生产场效应晶体管的方法 [P] . 中国专利： CN104205340B . 2018.03.06
3. NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR, NITRIDE SEMICONDUCTOR-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER FOR FIELD EFFECT TRANSISTOR [P] . 日本专利： JP2012235131A . 2012-11-29

机译：用于场效应晶体管的氮化物半导体外延片，基于氮化物半导体的场效应晶体管以及制造用于场效应晶体管的氮化物半导体外延片的方法
4. Method of forming a planar field effect transistor with embedded and faceted source/drain stressors on a silicon-on-insulator (SOI) wafer, a planar field effect transistor structure and a design structure for the planar field effect transistor [P] . 美国专利： US8525186B2 . 2013-09-03

机译：在绝缘体上硅（SOI）晶片上形成具有嵌入式和多面源/漏应力源的平面场效应晶体管的方法，平面场效应晶体管结构和用于该平面场效应晶体管的设计结构
5. Method of forming a planar field effect transistor with embedded and faceted source/drain stressors on a silicon-on-insulator (S0I) wafer, a planar field effect transistor structure and a design structure for the planar field effect transistor [P] . 美国专利： US7951657B2 . 2011-05-31

机译：在绝缘体上硅（S0I）晶片上形成具有嵌入式和多面源/漏应力源的平面场效应晶体管的方法，平面场效应晶体管结构和用于该平面场效应晶体管的设计结构