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半导体激光器阵列、半导体激光器元件、半导体激光器模块、以及波长可变激光器组件

摘要

半导体激光器阵列具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器,各所述半导体激光器具备:包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层;和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层,在所述活性层掺杂n型杂质。由此提供能在宽带中输出高强度的激光的半导体激光器阵列。

著录项

  • 公开/公告号CN105830292A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-08-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 古河电气工业株式会社;

    申请/专利号CN201480070393.1

  • 发明设计人 伊藤章;吉田顺自;清田和明;

    申请日2014-12-26

  • 分类号H01S5/22;H01S5/12;H01S5/20;H01S5/343;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人李国华

  • 地址 日本国东京都

  • 入库时间 2023-06-19 00:15:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    授权

    授权

  • 2017-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/22 申请日:20141226

    实质审查的生效

  • 2016-08-03

    公开

    公开

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