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基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路

摘要

本发明提出了一种基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路,其包括功率单元模块(1)和电流补偿模块(2)。电流补偿模块连接在功率单元模块的输入端,用于控制功率单元模块的输入电流;功率单元模块由磷化铟异质结双极晶体管Q1组成,电流补偿模块由倒向偏置的磷化铟异质结双极晶体管Q2、直流电压源DC和电阻R组成。Q2的基极与Q1的基极相连接,电阻R作为控制开关,连接在Q2的集电极和地之间,直流电压源DC的正极与Q2的发射极相连,负极接地。本发明根据负反馈补偿原理,补偿了InP异质结双极晶体管自热效应,稳定了直流工作点,改善了晶体管输出的线性度,可用于指导射频和微波电路的直流偏置设计。

著录项

  • 公开/公告号CN105808851A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201610132990.3

  • 申请日2016-03-09

  • 分类号

  • 代理机构陕西电子工业专利中心;

  • 代理人王品华

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2023-06-19 00:12:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20160727 申请日:20160309

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-08-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20160309

    实质审查的生效

  • 2016-07-27

    公开

    公开

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