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基于金属-绝缘体-金属装置的击穿电压的物理不可克隆功能

摘要

一个特征涉及实施物理不可克隆功能的方法,所述方法包含提供金属-绝缘体-金属MIM装置的阵列,其中所述MIM装置经配置以表示第一电阻状态或第二电阻状态,且多个所述MIM装置初始地处于所述第一电阻状态。所述MIM装置具有大于第一电压且小于第二电压的随机击穿电压,其中所述击穿电压表示致使所述MIM装置从所述第一电阻状态过渡到所述第二电阻状态的电压。所述方法进一步包含将信号线电压施加到所述MIM装置以致使所述MIM装置的一部分随机击穿且从所述第一电阻状态过渡到所述第二电阻状态,所述信号线电压大于所述第一电压且小于所述第二电压。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-22

    专利权的视为放弃 IPC(主分类):G11C11/16 放弃生效日:20171222 申请日:20140904

    专利权的视为放弃

  • 2016-05-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/16 申请日:20140904

    实质审查的生效

  • 2016-04-13

    公开

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