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一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法

摘要

一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜,为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构,其制备方法是:将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中,以石墨、铝为靶材,沉积类金刚石/铝薄膜;然后以氧化锌为靶材,采用射频磁控溅射工艺,在Al膜表面沉积氧化锌薄膜。本发明的优点是:制备工艺简单易行,成本低廉;所制备的类金刚石薄膜表面光滑平整,可大大降低声波在传输过程中的损耗,沉积的Al薄膜大大提高了氧化锌薄膜的机电耦合系数,氧化锌薄膜结晶度高,c-轴取向高,该ZnO/Al/DLC复合薄膜结构可用于制作高性能,高频和大功率器件。

著录项

  • 公开/公告号CN102611405A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津理工大学;

    申请/专利号CN201210062507.0

  • 申请日2012-03-09

  • 分类号H03H3/08;H03H9/25;H03H9/02;

  • 代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯力

  • 地址 300384 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区科技处

  • 入库时间 2023-12-18 06:11:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H03H3/08 申请公布日:20120725 申请日:20120309

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-09-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03H3/08 申请日:20120309

    实质审查的生效

  • 2012-07-25

    公开

    公开

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