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Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极的发光二极管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Ag/ITO/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制作工艺。本发光二极管包括:在蓝宝石衬底上依次有缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓和Ag/ITO/氧化锌基复合电流扩展层、并有n型金属电极连接n型氮化镓,p型金属电极连接Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层。其制作方法是:缓冲层、本征层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓是在MOCVD中依次生长完毕;Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层分别依次是利用真空蒸镀的方法将几纳米厚的Ag薄膜蒸镀到p型GaN表面,再用电子束蒸镀的方法将ITO透明薄膜蒸镀在Ag薄膜表面,再利用磁控溅射的方法将氧化锌透明薄膜溅射在ITO薄膜表面,形成Ag/ITO/氧化锌复合透明电流扩展层;利用干法刻蚀将n型氮化镓暴露出来,退火处理后利用热蒸发或电子束蒸发等薄膜沉积方法生长金属电极。Ag/ITO/氧化锌复合透明电极极大地改善了p型氮化镓与透明电极层之间的欧姆接触,提高了LED芯片的光提取效率和可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN102169944B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-11-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201110084321.0

  • 发明设计人 张建华;王万晶;李喜峰;

    申请日2011-04-06

  • 分类号

  • 代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人顾勇华

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:04

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-07

    授权

    授权

  • 2011-10-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/42 申请日:20110406

    实质审查的生效

  • 2011-08-31

    公开

    公开

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