透明导电薄膜ITO对GaN基蓝光发光二极管影响的分析

摘要

本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究,并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,分析其对管芯表面电流扩展、ITO与P-GaN欧姆接触电阻的影响,通过优化ITO相关工艺来降低LED工作电压及提高透过率、提高LED发光亮度。通过试验得到优化参数为:ITO厚度250nm,火温度400℃,N2流量30L/min,火时间10min。在优化条件下玻璃片上测得ITO方块电阻约为12Ω/□,透光率达到95%以上,制得的203μm×508μm蓝光LED芯片在直流电流20mA下的正向电压3.18V,光功率为26.11mW。封装成X=0.35,Y=0.35,色温4500K,显色指数75白光后,光通量为7.81lm。