一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法

摘要

一种高饱和磁化强度的Si基稀磁半导体的制备方法，其步骤包括：⑴对Si单晶基体样品进行过渡族金属离子注入；⑵在保护气氛中将上述步骤⑴得到的样品快速热退火；⑶对上述步骤⑵得到的样品进行零族离子注入。其优点是：利用本发明可以获得居里温度（Tc）高于室温的Si基稀磁半导体材料，且该Si基稀磁半导体材料的饱和磁化强度有大幅提升，其饱和磁化强度为单束注入法获得的Si基稀磁半导体的饱和磁化强度的2.5-6倍。