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超低损耗微波介质陶瓷制备方法及在射频/微波电容器中的应用

摘要

本发明公开了超低损耗微波介质陶瓷制备方法及在射频/微波电容器中的应用,特别涉及微波介质陶瓷制造技术领域,其主成分是由Nd、Ba、Ti的氧化物为基材复合而成,组成中添加至少一种以上微量稀土氧化物。微波介质陶瓷制造工艺中引入了搅拌磨生产加工工艺,使得微波介质陶瓷材料的批量生产工艺重复性和稳定性得到有效的控制。该微波介质陶瓷材料在制作射频/微波多层陶瓷电容器生产中采用了介质陶瓷膜片流延加工技术和多层陶瓷电容器印刷叠片生产工艺技术。采用中温烧结,经产品测量其介电常数为52~54、温度系数为零(0±30PPM/℃)、超低损耗(0.0001~0.000002高Q值:≥10 000~500 000)。该超低损耗微波介质陶瓷是制作射频/微波多层陶瓷电容器高端电子元器件的关键材料。

著录项

  • 公开/公告号CN102336569A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 游钦禄;

    申请/专利号CN201010238900.1

  • 发明设计人 游钦禄;

    申请日2010-07-28

  • 分类号C04B35/50;C04B35/622;H01G4/12;H01G4/30;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610054 四川省成都市建设北路二段5号电子科技大学东二院14栋4单元5楼9号

  • 入库时间 2023-12-18 04:21:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-06-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01G4/12 申请公布日:20120201 申请日:20100728

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-04-18

    文件的公告送达 IPC(主分类):C04B35/50 收件人:游钦禄 文件名称:发明专利申请公布及进入实质审查通知书 申请日:20100728

    文件的公告送达

  • 2012-03-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/50 申请日:20100728

    实质审查的生效

  • 2012-02-01

    公开

    公开

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