III-V semiconductors; Quantum dots; Droplet epitaxy; Single-photon emission; Radiative lifetime; 87.57.uh; 78.67.Hc; 78.55.-m; 42.50.-p;
机译:金属有机气相外延生长的超低密度InGaAs / GaAs量子点在1.3μm处呈现级联单光子发射
机译:液滴外延生长的高密度InGaAs / GaAs量子点结构中湿润层形成的生长温度依赖性
机译:在InGaAs / GaAs变质缓冲液上从MOVPE生长的InAs量子点以1.55μm的单光子发射
机译:单个IngaAs / GaAs量子点和由液滴外延生长的成对的形成和排放性能
机译:InGaAs量子点和量子点激光器的交替分子束外延和表征。
机译:线槽纳米腔增强InGaAs / GaAs量子点/纳米线异质结构的单光子发射速率
机译:高衬底温度下通过液滴外延生长的单个InGaAs / GaAs量子点的单光子发射