电阻体材料、电阻薄膜形成用溅射靶、电阻薄膜、薄膜电阻器以及它们的制造方法

摘要

本发明的目的是提供一种即使经过相对低温的热处理也电阻率、电阻温度特性、高温稳定性、耐盐水性均优良的薄膜电阻器和用于制造所述薄膜电阻器的电阻体材料以及制造方法。本发明提供了一种电阻体材料，该电阻体材料是在Ni合金中添加有3～20质量％的硅酸盐系玻璃，其中，该Ni合金含有10～60质量％的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质，该硅酸盐系玻璃以SiO

说明书

技术领域

本发明涉及作为电子部件的薄膜电阻器以及用于获得该薄膜电阻器的电阻薄膜、该电阻薄膜形成用的溅射靶、形成该溅射靶的电阻体材料，进一步地，还涉及它们的制造方法。

背景技术

使用电阻薄膜的薄膜电阻器，已应用于芯片电阻器、精密电阻器、网络电阻器、高压电阻器等电阻器；测温电阻体、感温电阻器等温度传感器；以及混合集成电路及其复合模块制品等的电子部件中。

对于薄膜电阻器而言，要求具有4个特性：(1)电阻温度系数(TCR)的绝对值接近0的电阻温度特性；(2)高温保持时的经时电阻变化率小的高温稳定性；(3)对人的汗或海水等的耐腐蚀性(耐盐水性)；(4)电阻率高。

伴随着电气·电子制品的小型化的推进，期望着对薄膜电阻器进行小型化，但针对该薄膜电阻器的小型化，需要保持上述特性并且进一步提高构成电阻薄膜的电阻体材料的电阻率。

在薄膜电阻器中，多数情况下，作为用于形成电阻薄膜的电阻体材料，主要采用了Ta合金、TaN化合物、Ni-Cr系合金等。

其中，使用了Ni-Cr系合金的电阻薄膜，具备具有作为金属特性的欧姆特性(ohmic characteristics)、电阻值相对于环境温度变化而发生的变化小、以及热稳定性高的特点，因此，通常应用于薄膜电阻器。但是，Ni-Cr系合金作为电阻体材料，存在电阻率低的问题。

因此，有人提出了一种电阻薄膜，其是将Ta、Al、Mo添加于Ni-Cr系合金中，以提高电阻率(参照专利文献1)。通过该添加有Ta、Al、Mo的Ni-Cr系合金获得的电阻薄膜，与以往的使用Ni-Cr系合金的电阻薄膜相比，耐腐蚀性优良，但是，在采用酸性人工汗液(JIS L0848)的电腐蚀试验中的溶解起始电压为小于6V，因此，期望有耐腐蚀性更加优良的电阻薄膜。

此外，该Ni-Cr系合金，为了获得规定的特性而施以热处理，按所需特性要求以大于500℃的高温进行热处理。因此，需要进一步降低所述热处理温度。

背景技术文献

专利文献1：日本特开2008-10604号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜电阻器，其即使以较低温度进行电阻薄膜热处理的情况下，也会保持与上述的添加有Ta、Al、Mo的Ni-Cr系合金相同的高电阻率、优良的电阻温度特性、高温稳定性，并且具有高耐腐蚀性。

本发明的电阻体材料，其特征在于，在Ni合金中，添加有3～20质量％的硅酸盐系玻璃，其中，该Ni合金含有10～60质量％的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质，该硅酸盐系玻璃以SiO₂(二氧化硅)为主要成分，并且含有0～90质量％的选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr以及它们的氧化物中的1种以上。

本发明的电阻薄膜形成用的溅射靶，是通过下述方式获得：以使硅酸盐系玻璃粉末为3～20质量％的方式将硅酸盐系玻璃粉末与Ni合金粉末混合，使所获得的混合粉末成型为所需的形状，并使所获得的成型体在真空或非活性气体环境中，以50kg/cm²以上的加压下，以500～1400℃进行烧结，其中，该硅酸盐系玻璃粉末以SiO₂为主要成分，并且添加有0～90质量％的选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr和它们的氧化物中的1种以上，该Ni合金粉末含有10～60质量％的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质。

该种溅射靶的组成，与上述电阻体材料实质上是相同的。

本发明的电阻薄膜，采用上述溅射靶，通过溅射法在绝缘材料基板上形成薄膜，将所获得的薄膜在大气中或非活性气体环境中，以200～500℃进行热处理1～10小时来获得。

该种电阻薄膜的组成，也与构成上述溅射靶的电阻体材料实质上相同。

本发明的电阻薄膜具有下述特性：电阻率为300～1500μΩ·Gm，电阻温度系数处于-25～+25ppm/℃的范围，在高温155℃保持1000小时中的经时电阻变化率为0.1％以下，并且，采用酸性人工汗液(JIS L0848)的电腐蚀试验中的溶解起始电压为9V以上。

本发明的薄膜电阻器，其特征在于，是由绝缘材料基板、在该绝缘材料基板上形成的电阻薄膜、在该绝缘材料基板上的该电阻薄膜的两侧形成的电极来构成，所述电阻薄膜具有上述的电阻薄膜特性。

将本发明的电阻薄膜材料作为溅射靶来使用，通过溅射法予以成膜而获得电阻薄膜，使用该电阻薄膜的薄膜电阻器，能够同时实现300～1500μΩ·cm的高电阻率、电阻温度系数的绝对值处于±25ppm/℃范围的优良的电阻温度特性、在155℃高温保持1000小时中的经时电阻变化率为0.1％以下的较高的高温稳定性、以及采用酸性人工汗液(JIS L0848)的电腐蚀试验中的溶解起始电压为9V以上的高耐腐蚀性(耐盐水性)。

也即，根据本发明，能够将高电阻、高温稳定性优良的电子部件，应用于对优良耐腐蚀性比以前更有要求的严酷环境下，并且上述特性能够以低于从前温度的热处理来得到，因此，本发明还有利于使薄膜电阻器的制造低成本化。

附图说明

图1是本发明所适用的薄膜电阻器的概要图。

图2是表示电腐蚀试验的概要图。

附图标记的说明

1绝缘性基板(氧化铝基板)

2电阻薄膜

3电极(Au电极)

4液滴

具体实施方式

薄膜电阻器要求有所谓高电阻、稳定的电阻温度特性、优良的高温稳定性以及高耐腐蚀性(耐盐水性)4个特性，为了改善所述特性以Ni-Cr系合金为中心进行了各种尝试。

在Ni-Cr系合金中添加有Ta、Al以及Mo的Ni-Cr系合金，与以往的合金相比，仍然保持着原有的电阻温度特性以及高温稳定性，并求得对电阻以及耐腐蚀性的改善。但是，如上述所言，要获得这种特性(特别是要使电阻温度系数处于规定的范围)，需要将采用上述电阻体材料而成膜的薄膜以200～600℃的温度进行热处理1～10小时，根据所需特性，需要以较高温度(高温一边的温度)进行热处理，以求得保持或者进一步改善上述特性，但更为人们所期待的是能够以较低温度(低温一边的温度)进行热处理的电阻体材料。

本发明人等通过反复精心研究的结果是：不采用以往应用于电子部件用薄膜电阻器的电阻体材料，而只是按规定量在Ni合金中添加硅酸盐系玻璃，由此，能够相对地降低用于获得所需特性的热处理温度，并且，能够进一步改善上述特性(特别是耐腐蚀性)。根据上述研究结果，本发明人等完成了本发明。

本发明的电阻体材料，其特征在于：在Ni合金中，添加有3～20质量％的硅酸盐系玻璃，其中，该Ni合金含有10～60质量％的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质，该硅酸盐系玻璃以SiO₂(二氧化硅)为主要成分，并且含有0～90质量％的选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr以及它们的氧化物中的1种以上。

该电阻体材料，是具有以上述组成所具有的特征为特征的电阻体材料，其只要是具有实质上相同的组成即可，对方式并没有限制。因此，本发明中的电阻体材料的术语，是对在电阻薄膜形成的过程中的从原材料到电阻薄膜为止的所有方式所作的统称。

Ni合金从基本上构成了本发明的电阻体材料。这种Ni合金含有10～60质量％的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质。

添加元素具有各种效果：Cr有利于电阻温度系数的绝对值的降低，Al有利于耐腐蚀性的提高，Y有利于Ni合金和玻璃粉末的粘附性的提高。这些添加元素，根据所要求的特性只添加需要量，但为了具备本申请发明的薄膜电阻器中的特性，优选为含有所有的添加元素。为了发挥各种特性，需要分别含有Cr为10质量％以上、Al为10质量％以上、Y为0.3质量％以上，并且，需要使其按总量计为10质量％以上。当添加元素的添加量按总量计为小于10质量％的情况下，所得到的电阻薄膜的电阻率不会成为足够大。另一方面，当这些添加元素过多时，会导致成膜、加热后的稳定性变差，重复再现性变差，因此，需要设定为按总量计60质量％以下。从减小电阻温度系数的绝对值的观点出发，优选设定为添加元素的总量处于40～50质量％的范围。电阻温度系数，既基于后述的玻璃的组成发生变化，也基于Ni合金的组成发生变化。从这一点考虑，优选对Ni合金的添加元素总量为40～50质量％。

本发明的电阻体材料，其特征在于，在这种Ni合金中，添加有3～20质量％的硅酸盐系玻璃，该硅酸盐系玻璃以SiO₂(二氧化硅)为主要成分，含有0～90质量％的选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr以及它们的氧化物中的1种以上。

硅酸盐系玻璃，主要是具有提高电阻薄膜的电阻值的效果。此外，还有提高电阻薄膜的耐腐蚀性的效果。进一步地，通过含有硅酸盐系玻璃，能够相对降低为了获得所需的特性的对成膜后的薄膜进行的热处理温度。

硅酸盐系玻璃是绝缘体，因此，即使有3质量％以上的少量添加也可获得其效果。相反，当添加量大于20质量％时会成为绝缘体，不能借助于DC溅射来成膜，因此存在成本方面的问题。此外，硅酸盐系玻璃的添加量，优选为5～10质量％的范围。

在硅酸盐系玻璃中，作为添加物，含有选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr以及它们的氧化物中的1种以上。其中，这些添加物的含量，设定为90质量％以下。当这种添加物的含量大于90质量％时，会导致电阻温度系数的绝对值不能处于±25ppm/℃的范围之内。

通过添加这些B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr或它们的氧化物，能够进行电阻薄膜的熔合温度、耐水性的微调。此外，通过Al或氧化铝(Al₂O₃)的添加，能够抑制电阻薄膜的分相发生。但是，本发明并不受这些添加物的影响，上述不过是对硅酸盐系玻璃中可含的添加物予以示例而已，完全不含有这些添加物的硅酸盐系玻璃也能够适用于本发明。此外，从硅酸盐玻璃结晶性的观点出发，当添加这种添加物的情况下，优选为包含全部的B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr。此外，从同样的理由出发，还包括它们是氧化物的情况，并且希望其总量设定为30～70质量％的范围。

根据需要有时期望，在经后述的热压进行烧结之后，调整这些添加物以及添加量，以使硅酸盐系玻璃不结晶化。其原因是，当硅酸盐系玻璃发生结晶化时，会引起电阻体材料的密度不上升且强度降低，通过溅射进行成膜时，会出现问题。

接下来，对本发明的电阻薄膜形成用溅射靶的制作进行说明。这种溅射靶的原材料中使用了硅酸盐系玻璃粉末和Ni合金粉末，其中，所述硅酸盐系玻璃粉末以SiO₂为主要成分，并且添加有0～90质量％的选自B、Mg、Ca、Ba、Al、Zr以及它们的氧化物中的1种以上，所述Ni合金粉末含有30～60质量％(优选为40～50质量％)的选自Cr、Al和Y中的1种以上的添加元素，并且余量是Ni和不能避免的杂质。

作为是原料粉末的Ni合金粉末，优选使用平均粒径为10～200μm，优选为处于30～150μm的范围之内，更加优选为100μm左右的球状的雾化粉。此外，作为硅酸盐系玻璃粉末，优选使用平均粒径为0.5～50μm，优选为处于1～30μm的范围之内，更加优选为10μm左右的粉末。

从使原料粉末烧结的角度出发，通常希望为粒径细的原料粉末。但是，当通过热压进行烧结时，并不限于此。其原因是，在热压时，碳质模具中填充有原料粉末，但碳质模具中的接合处存在间隙，因此，当原料粉末过细时，原料粉末会从间隙漏出，降低了可加工性。

另一方面，当Ni合金粉末的平均粒径为大于200μm，或者硅酸盐系玻璃粉末的平均粒径为大于50μm的情况下，会发生靶密度降低的问题。

将这些原材料进行干式混合，以使上述硅酸盐系玻璃粉末为3～20质量％(优选为5～10质量％)，获得作为原料粉末的混合粉末，将所获得的混合粉末成型为所需的形状，将所获得的成型体优选以热压法使其烧结，由此，能够获得上述溅射靶。作为具体的烧结条件，优选在真空或非活性气体环境中，在50kg/cm²以上的加压下，在500～1400℃焙烧1～5小时，由此使之烧结。本说明书中的热压法中，还包括HIP(等静热压)法。当加压小于50kg/cm²、焙烧时间小于1小时的情况下，不能获得高密度的靶。另一方面，即使进行超过5小时的热压，也不能获得进一步提高密度的效果。

对于烧结温度，希望比玻璃粉末的软化点高，而比Ni合金的熔点低。如此获得的烧结体，根据需要配制大小尺寸，通过接合(bonding)等来获得溅射靶。

接着，对本发明的电阻薄膜的制作进行说明。使用按如上所述获得的溅射靶，通过溅射法进行成膜时，获得与电阻体材料实质上相同组成的薄膜。作为此时的基板，希望是Al₂O₃、SiO₂等的绝缘体基板。此外，除了溅射法之外，也可将本发明的电阻体材料加工为蒸镀用片(タブレツト)，通过真空蒸镀等蒸镀法使电阻薄膜成膜。

对于溅射法，并不受其种类的限制，但从成本方面和批量生产性的观点出发，优选采用DC溅射。虽然溅射条件也根据溅射装置进行设置，但是，例如，采用靶的大小为φ75mm×3mm的溅射靶、输出功率为200W(固定)的溅射装置的情况下，在电压为400～600V、电流为0.3～0.5A、Ar流量为15～25SCCM、总压力为0.4～0.6Pa、TS距离(从靶到基板的距离)为85mm的条件下，进行成膜。

对于只进行溅射成膜的薄膜，电阻温度系数成为大的负值，进而在高温中的电阻稳定性不充分。因此，根据成膜后的薄膜组成，需要在大气中或非活性气体中，在200～500℃进行热处理1～10小时。通过这种热处理，能够获得电阻温度系数的绝对值为小于±25ppm/℃的电阻薄膜。

当热处理温度小于200℃时，所得到的电阻薄膜的电阻温度系数不稳定，另一方面，当热处理的温度大于500℃时，电阻薄膜的电阻温度系数成为大的正值。此外，当热处理时间小于1小时的情况下，所得到的电阻薄膜的电阻温度系数不稳定，另一方面，当热处理时间大于10小时的情况下，也未见有进一步增大电阻温度系数稳定性的改善效果，为此却加大了成本。

此外，在本发明的电阻体材料的组成中，这种热处理温度与使用了添加有Ta、Al和Mo的Ni-Cr系合金的电阻薄膜的情况相比，相对降低。特别是，在这种Ni-Cr系合金的情况下，根据组成，有时为获得所需特性需要在大于500℃的高温下进行热处理，但在本发明的电阻体材料的组成方面，能变成500℃以下且能够使整个组成范围中的热处理温度移至较低温度(低温一边的温度)。

此外，在特性方面，本发明的电阻薄膜，保持有与以往同样的特性，特别是在耐腐蚀性(耐盐水性)方面，能够获得采用酸性人工汗液(JISL0848)的电腐蚀试验中的溶解起始电压为9V以上的更优良的效果。

本发明的薄膜电阻器，如图1所示，是由绝缘材料基板(1)、形成于其上的电阻薄膜(2)以及形成于绝缘材料基板(1)上的电阻薄膜(2)两侧的电极(3)来构成的。作为电极(3)，除Au电极外还可使用Al、Ag、Cu、Ni、Cr等电极。这种薄膜电阻器，具有根据本发明的电阻薄膜而具有的特性。

实施例

实施例1

作为Ni合金粉末，制备了按总量40质量％添加Cr、Al和Y(Cr∶Al∶Y＝29.5∶10.0∶0.5(质量比))的平均粒径为100μm的Ni合金粉末。另一方面，作为硅酸盐系玻璃粉末，制备了按总量50质量％添加B、Mg、Ca、Ba、Al和Zr(B∶Mg∶Ca∶Ba∶Zr∶Al＝2∶5∶18∶18∶5∶2(质量比))的平均粒径为10μm的SiO₂粉末。

将这2种粉末混合并使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为5质量％，形成原料粉末。

将该原料粉末装入所需形状的碳质模具中，采用广筑株式会社(株式会社広築)制造的大气热压炉(AHP)进行热压。在Ar以2L/min流动的非活性气体环境中，在所谓200kg/cm²的压力、1100℃的焙烧温度、3小时的焙烧时间的条件下，使该成型体烧结而获得烧结体。

采用平面磨床(PSG-105DX，株式会社冈本工作机械制作所制造)加工所获得的烧结体并使厚度为3.0mm后，采用线切割机床(ワイヤ一カツト，AQ750L，株式会社ソデイツク制造)加工并使直径为75.0mm，然后，使用含铟焊料将装配板(Bucking Plate)与烧结体接合在一起而形成溅射靶。

将如上述所获得的溅射靶安装于DC溅射装置(CFS-4ES，芝浦メカトロニクス株式会社制造)上，并使TS距离(从靶到基板的距离)为85mm，在排气至5×10^-4pa之后，导入纯度为99.999％以上的Ar气体，保持于0.5Pa的压力，以溅射功率为200W、电压为500V、电流为0.4A进行溅射以使膜厚为100nm，在基板上成膜为20mm×25mm大小的薄膜。此时的基板使用了Al₂O₃。

在所获得薄膜的两端，采用同样的DC溅射法进行成膜为膜厚500nm的Au电极。然后，在大气环境中以300℃的温度进行热处理3小时，获得使用有本发明的电阻薄膜的薄膜电阻器。

关于所获得的薄膜电阻器，进行了如下述的电阻率、电阻温度特性、高温稳定性和耐腐蚀性(耐盐水性)的评价。

关于电阻率，是通过采用电阻率计(ロレスタGP MCP-T610型，株式会社三菱化学アナリツク制造)，在室温中用四点探针法进行检测而获得。本发明中，将具有电阻率为300μΩ·cm以上的薄膜电阻器判断为佳品。

关于电阻温度特性，是将所获得的薄膜电阻器置入恒温漕中，对25℃和125℃中的电阻值(单位：Ω)采用上述电阻率计进行检测，由所获得的电阻值计算出电阻温度系数，由此进行评价。本发明中，将电阻温度系数处于±25ppm/℃范围内的薄膜电阻器判断为佳品。

关于高温稳定性，是将所获得的薄膜电阻器在155℃的恒温槽内保持1000小时，采用上述电阻率计检测其前后的电阻值(单位：Ω)，由所获得的电阻值计算出电阻变化率(155℃、1000小时)，由此进行评价。本发明中，以置于恒温槽之前的电阻值作为基准，将置入后的电阻值比率为0.1％以下的薄膜电阻器判断为佳品。

关于耐盐水性，是对所获得的薄膜电阻器进行如下电腐蚀试验，检测溶解起始电压，由此进行评价。

首先，采用数字万用表(デジタルマルチメ一タ)(VOAC7521A，岩通計測株式会社(岩通测量株式会社)制造)，按照四端法对电阻薄膜(2)的初期电阻值进行检测。接着，如图2所示，用微量注射器在电阻薄膜(2)的中央滴加30μL酸性人工汗液(JIS L0848)，从液滴(4)的直径以及Au电极(3)之间的长度出发，调整Au电极(3)之间的电压(Vp)，以使负载于液滴(4)两端的电压(Vd)为1V。将Au电极(3)之间的电压(Vp)设为一定，在负载电压3分钟后，进行水洗和干燥，按照四端法检测电阻值，检测电压负载前后的电阻变化率。

调整Au电极(3)之间的电压(Vp)以使负载于液滴(4)两端的电压(Vd)从1V以0.2V的幅度上升来反复进行上述检测，由此，获得电阻变化率为大于0.2％时的液滴(4)两端所负载的电压(Vd)作为电阻薄膜(2)的溶解起始电压。

因此，所得到的溶解起始电压是满足下述条件时所检测的液滴两端的电压中的最小值：以一定的电压，对滴加酸性人工汗液(JIS L0848)后两端的Au电极间负载电压3分钟，进行水洗和干燥后，检测的电阻变化率为大于0.2％。在本发明中，将溶解起始电压为9.0V以上的薄膜电阻器判断为佳品。

实施例2

除了使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为3质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例3

除了使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为10质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例4

除了使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为20质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例5

除了没有向硅酸盐系玻璃粉末中添加添加物(硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为0质量％)以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例6

除了使硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为30质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例7

除了使硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为70质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例8

除了使硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为90质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例9

除了使Ni合金中的添加元素的含量为10质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例10

除了使Ni合金中的添加元素的含量为30质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例11

除了使Ni合金中的添加元素的含量为50质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例12

除了使Ni合金中的添加元素的含量为60质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

比较例1

除了没有添加硅酸盐系玻璃粉末以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。比较例1的薄膜电阻器的电阻率为小于300μΩ·cm、电阻变化率为大于0.1％，并且溶解起始电压非常低。由此理解，当获得电阻薄膜时的热处理温度相对低的情况下，不能获得具备充分的特性的薄膜电阻器。

比较例2

除了使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为30质量％以外，与实施例1同样地进行，获得溅射靶。但是，当打算采用该溅射靶与实施例1同样地进行电阻薄膜的成膜时，由于靶的导电性不充分，所以没有能够成膜。

比较例3

除了使硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为95质量％以及设定硅酸盐系玻璃粉末的添加量为10质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。对于比较例3的薄膜电阻器而言，电阻温度系数超过±25ppm/℃的范围，另外溶解起始电压为小于9V，由此理解，其不能达到本发明所要求的电阻温度特性和耐腐蚀性。

比较例4

除了使Ni合金中的添加元素的含量为0质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。对于比较例4的薄膜电阻器而言，电阻率为小于300μΩ·cm，电阻温度系数为超过±25ppm/℃的范围，并且溶解起始电压为小于9V，由此理解，其不能达到本发明所要求的电阻、电阻温度特性、耐腐蚀性。

比较例5

除了使Ni合金中的添加元素的含量为70质量％以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。对于比较例5的薄膜电阻器而言，电阻温度系数为超过±25ppm/℃的范围，并且溶解起始电压为小于9v，由此理解，其不能达到本发明所要求的电阻温度特性以及耐腐蚀性。

各实施例中的各种组成、DC溅射的可否、成膜后的薄膜热处理温度以及所获得的薄膜电阻器特性的检测结果，分别示于表1。

表1

实施例13

除了作为原料粉末中的硅酸盐系玻璃粉末采用按总量50质量％添加有Mg、Ca、Ba、Al和Zr(Mg∶Ca∶Ba∶Zr∶Al＝5∶20∶18∶5∶2(质量比))的平均粒径为10μm的SiO₂粉末以外，与实施例1同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例14

除了使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为7质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例15

除了使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为10质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例16

除了没有向硅酸盐系玻璃粉末中添加添加物(硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为0质量％)以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例17

除了使硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为90质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

实施例18

除了使Ni合金中的添加元素的含量为50质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

比较例6

除了没有添加硅酸盐系玻璃粉末以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

比较例7

除了使硅酸盐系玻璃粉末的添加量为30质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

比较例8

除了使硅酸盐系玻璃粉末中的添加物的含量为95质量％以及设定硅酸盐系玻璃粉末的添加量为10质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

比较例9

除了使Ni合金中的添加元素的含量为0质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

比较例10

除了使Ni合金中的添加元素的含量为70质量％以外，与实施例13同样地进行而获得薄膜电阻器，对其特性进行了检测。

在比较例6～10中，也可见到与比较例1～5同样的趋势。

各实施例中的各种组成、DC溅射的可否、成膜后的薄膜热处理温度以及所获得的薄膜电阻器特性的检测结果，分别示于表2。

表2