包含内部传感器和微小反应器的光刻设备和用于处理内部传感器的感测表面的方法

摘要

光刻设备(1)包括被构造且被布置以将辐射束(B)投影到衬底(W)的目标部分(C)上的投影系统(PS)、具有感测表面(202)的内部传感器(201)和相对于传感器(201)可移动的微小反应器(210)。微小反应器包括用于包含氢的气体(226)的入口(220)、氢基产生器(260)和用于包含氢基的气体(266)的出口(230)。微小反应器(210)被构造且被布置以产生包含氢基的局部微小环境(255)，用于处理感测表面(202)。

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2008年4月15日申请的美国临时申请第61/071,156号的权益，在此通过参考将其全部内容并入本文中。

技术领域

本申请涉及一种包含内部传感器和微小反应器的光刻设备。本发明还涉及一种用于处理光刻设备的内部传感器的感测表面的方法。本发明还涉及一种器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

在光刻设备中，能够成像到衬底上的特征的尺寸，可能受到投影辐射的波长的限制。为了制造具有更高密度器件的集成电路，并且因此实现更高的操作速度，期望能够使得更小的特征成像。虽然大多数现有的光刻投影设备采用由汞灯或准分子激光器产生的紫外光，但是已经提出使用更短波长的辐射，例如约13nm的波长的辐射。这样的辐射被称为极紫外(EUV)或软x射线，可能的源例如包括激光产生等离子体源、放电等离子体源或来自电子储存环的同步加速器辐射。

典型地，EUV辐射源是等离子体源，例如是激光产生等离子体或放电源。任何等离子体源的共同特征是快速离子和原子的产生，其沿所有方向从等离子体射出。这些粒子可能对收集器和聚光器反射镜造成损害，所述收集器和聚光器反射镜通常是具有易碎表面的多层反射镜或掠入射反射镜。该表面由于从等离子体射出的颗粒的冲击或溅射而逐渐劣化，因此降低了反射镜的寿命。溅射作用对于辐射收集器或收集器反射镜是尤其有问题的。该反射镜的目的是收集在所有方向上由等离子体源发射的辐射且将它向照射系统中的其它反射镜引导。辐射收集器被定位成非常靠近等离子体源且与其在同一视线上，因此接收了来自等离子体的大通量的快速的颗粒。系统中的其它反射镜因为可以被一定程度地屏蔽，因此通常受从等离子体射出的颗粒的溅射的损害程度较小。

在不久的将来，极紫外(EUV)源可以使用锡(Sn)或另一金属蒸汽来产生EUV辐射。锡可能泄漏到光刻设备中，且可能沉积在光刻设备中的反射镜上，例如辐射收集器的反射镜。这样的辐射收集器的反射镜可以具有例如钌(Ru)的EUV反射顶层。将多于约10nm锡(Sn)沉积到反射Ru层上，将以与块状Sn相同的方式反射EUV辐射。因为锡的反射系数远低于钌的反射系数，可以显著地降低收集器的整体透射。为了防止来自源的碎片或由这样的碎片产生的二次粒子沉积到辐射收集器上，可以使用污染物阻挡件。尽管这样的污染物阻挡件或阱可以移除一部分碎片，但是仍然有一些碎片将会沉积到辐射收集器或其它光学元件上。

为了移除不希望的沉积物，已经讨论了清洁方法，包括例如氢基(氢自由基)清洁，例如在国际专利申请公开No.WO2008002134中所描述的。这样，H₂和氢基被引入到光刻设备的至少一部分中。专利文献WO2008002134描述了一种用在EUV光刻设备中的清洁布置，例如具有Sn源的EUV光刻设备。清洁布置包括用于包含氢的气体的气体源和氢基源。氢基源是导致氢光分解的(UV)辐射源(其可以也被称为EUV源)或产生氢基的热丝。根可以减少Sn氧化物(如果有的话)和形成Sn沉积物和/或碳沉积物的挥发性氢化物。这样，所述清洁布置可以用于清洁光学元件，除去Sn和/或C沉积物。

发明内容

光刻设备可以包括一个或更多的内部传感器，所述内部传感器可以用于多种用途，诸如对准控制、剂量控制、图像优化、光瞳观察、光谱纯度等。这样的传感器可能遭受诸如碳或碳氢化合物的碳质材料的沉积。

本发明的一个方面是提供一种包括内部传感器的光刻设备。本发明的另一方面是提供一种用于处理光刻设备的内部传感器的感测表面的方法。本发明的又一另外的方面是提供一种器件制造方法。

为此目的，在一个实施例中，本发明提供了一种光刻设备，所述光刻设备包括内部传感器和微小反应器，其中所述微小反应器相对于传感器是可移动的，其中所述传感器具有感测表面，所述微小反应器包括用于包含氢的气体的入口、氢基产生器和用于包含氢基的气体的出口，所述微小反应器被布置以在用于处理传感器的感测表面的方法中使用微小反应器的期间产生包括氢基的局部微小环境，以处理所述感测表面。

根据一个实施例，提供了一种光刻设备，其包括：投影系统，所述投影系统被构造且被布置以将辐射束投影到衬底的目标部分上；内部传感器，具有感测表面；和微小反应器，其相对于所述传感器是可移动的。所述微小反应器包括用于包含氢的气体的入口、氢基产生器、和用于包含氢基的气体的出口。所述微小反应器被构造且被布置以产生包括氢基的局部微小环境，以处理所述感测表面。

所述传感器可以包括从由晶片台传感器、掩模台传感器、探测器传感器、收集器传感器、收集器框架传感器、照射器传感器、照射器框架传感器、位置传感器和能量传感器构成的组中选择的传感器。在一个实施例中，感测表面包括钌。在此处，术语“传感器”表示内部传感器，即在光刻设备内的传感器。

在一个实施例中，氢基产生器可以包括丝，所述丝被构造且布置以被加热，用以将分子态氢转换成氢基。在一个实施例中，微小反应器可以被布置以对传感器的感测表面进行净化。在一个实施例中，光刻设备还可以包括冷却元件，所述冷却元件被布置以冷却微小反应器的至少一部分，尤其是微小反应器壁。

在一个实施例中，微小反应器可以包括具有腔开口的反应器腔。这样的反应器腔开口可以布置至感测表面或感测表面可以布置至反应器腔开口，或反应器腔开口和感测表面两者可以彼此布置，这是因为如上所述传感器或微小反应器或传感器和微小反应器两者是可运送的。这样，微小反应器还能够“服务”多个传感器，例如两个或更多的传感器。例如，不同的传感器的感测表面可以依次被处理，或者因为传感器被分别运送至微小反应器，或者微小反应器被分别运送至传感器，或者各个传感器和微小反应器被彼此运送。

感测表面可以具有感测表面面积或感测表面横截面面积，反应器腔开口可以具有腔开口面积(或腔开口横截面面积)。尤其是，反应器腔开口面积大致等于或大于感测表面面积或感测表面横截面面积。这样，清洁位置(即在感测表面的上方)可以几乎与环境封闭或屏蔽。典型地，反应器腔开口面积同感测表面面积或感测表面横截面面积的比在约0.2-2的范围内。

微小反应器的内表面且尤其是反应器腔的内表面可以包括基本上不会与氢或氢基或氢和氢基两者反应的材料，尤其是在处理条件下。在一个实施例中，反应器壁的内表面，尤其是反应器腔的内表面可以包括小于0.02的氢基表面再结合系数的材料。在一个实施例中，反应器的外部部件，尤其是反应器腔的外部部件，可以被布置以被引导至感测表面的一部分和/或其周围，并可以包括氢基表面再结合系数大于约0.02，尤其是约大于0.1的材料。

根据一个方面，本发明的实施例提供了一种用于处理光刻设备的内部传感器的感测表面的方法，其中所述传感器具有感测表面，所述方法包括：提供包含氢基的局部微小环境至感测表面和用氢基处理感测表面。

根据一个实施例，提供了一种用于处理光刻设备的内部传感器的感测表面的方法，其中传感器具有感测表面。所述方法包括：提供包括氢基的局部微小环境和用氢基处理感测表面。

本发明的一个实施例允许将局部微小环境仅大致提供至感测表面。在一个实施例中，所述方法包括至少部分地清洁感测表面除去含碳沉积物(也表示为碳质沉积物)，诸如碳沉积物和/或碳氢化合物沉积物。因此，在一个实施例中，微小反应器可布置以产生大致仅到传感器的感测表面的局部微小环境。

在一个实施例中，可以通过沿着热丝引导包含氢的气体来提供氢基。在微小反应器中，尤其是在反应器腔中，H₂的分压可以是在约0.1-100Pa的范围内，氢基分压可以在约10^-5至10Pa的范围内。在一个实施例中，包含氢的气体包括从由H₂，HD，D₂，HT，DT，和T₂构成的组中选择的一种或更多种气体。

所述方法还可以包括对处理结果的评估，例如通过评估从感测表面放出的气体。例如，质谱仪可以探测反应产物，例如碳氢化合物。当达到碳氢化合物的预定下限时，可以终止处理。因此，光刻设备还可以包括处理传感器，所述处理传感器被布置以评估处理结果。所述方法还可以包括：评估处理的感测表面。依赖于所述评估，所述处理可以是连续进行的，例如直至获得某一预定的结果，例如撞击到感测表面上的光的这种预定的吸收、反射或折射值，或可以终止所述处理，和例如光刻处理(即器件的制造)可以是连续进行的。

在一个实施例中，光刻设备还包括微小反应器(诸如上文所述)，其中微小反应器包括：用于包含氢的气体的入口、氢基产生器和用于包含氢基的气体的出口，其中微小反应器被布置以产生(在用于处理传感器的感测表面的方法中使用微小反应器期间)至感测表面的用于处理感测表面的包含氢基的局部微小环境，所述用于处理传感器的感测表面的方法包括以下步骤：将所述感测表面布置至所述微小反应器，或将所述微小反应器布置至所述感测表面，或将所述感测表面和所述微小反应器彼此地布置；和产生包括至感测表面的氢基的所述局部微小环境；和用所述氢基处理所述感测表面。

所述用于处理感测表面的方法可以在用光刻设备制造器件之前或之后应用。然而，一个实施例还在另外的方面中提供了一种使用光刻设备的器件制造方法，其中所述光刻设备包括包含感测表面的传感器，其中在制造器件的同时，在器件制造方法期间在传感器不关键的制造阶段的过程中，所述用于处理传感器的感测表面的方法被采用，其中所述方法包括：将包括氢基的局部微小环境提供至感测表面；和用氢基处理感测表面。

根据一个实施例，提供了一种使用光刻设备的器件制造方法。所述光刻设备包括包含感测表面的传感器。所述方法包括：图案化辐射束，将辐射束投影到衬底的目标部分上，提供包含氢基的局部微小环境，和用氢基处理感测表面。

在一个实施例中，光刻设备包括被构造以产生EUV辐射的辐射源，其中辐射源是Sn等离子体源。在此处，术语“被构造以产生EUV辐射”尤其是指被设计产生EUV辐射和被设计用在EUV光刻术中的源。在特定的变形中，辐射源分别包括激光产生等离子体源(LPP)或放电产生等离子体源(Sn等离子体源)。

在一个实施例中，光刻设备包括：照射系统，被配置以调节辐射束；支撑件，被构造以支撑图案形成装置，所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；衬底台，被构造以保持衬底；和投影系统，被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上。在一个实施例中，光刻设备是EUV光刻设备。光刻设备包括辐射源，被构造以产生辐射束，所述辐射束在一个实施例中可以是EUV辐射束，辐射源被构造以产生EUV辐射。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示意性地示出了根据本发明的实施例的光刻设备；

图2示意性地示出了根据图1的实施例的光刻投影设备的EUV照射系统和投影光学装置的侧视图；和

图3a-3e示意性地示出了作为图1的光刻设备的一部分的微小反应器的实施例以及其变形。

具体实施方式

图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备1。所述设备1包括：用于产生辐射的源SO；照射系统(照射器)IL，配置用于调节来自接收自源SO的辐射的辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)。源SO可以被设置成独立的单元。支撑件(例如掩模台)MT，被配置用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置MA的第一定位装置PM相连。衬底台(例如晶片台)WT，被配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底W的第二定位装置PW相连。投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。

所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑件支撑图案形成装置，例如承载图案形成装置的重量。支撑件以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。所述支撑件可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。支撑件可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。支撑件可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所示的，所述设备是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

光刻设备还可以是至少一部分衬底可以被相对高折射率的液体(例如水)覆盖、以便填充投影系统和衬底之间的空间的类型。浸没液体还可以被施加至光刻设备中的其它空间，例如在掩模和投影系统之间。浸没技术用于增加投影系统的数值孔径在本领域中是公知的。如在此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底的结构必须浸没在液体中，而是仅仅意味着在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。

参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果使用时设置的所述束传递系统一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整装置。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑件(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统PS将束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。

可以将所述设备用于以下模式中的至少一种中：

a.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。

b.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。

c.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

在上下文允许的情况下，所述术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或它们的组合，包括折射式、反射式、磁性式、电磁式和静电式光学部件。

此处使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或126nm的波长λ的辐射)和极紫外(EUV或软X射线)辐射(例如具有在5-20nm范围内的波长，例如约13.5nm)以及粒子束(诸如离子束或电子束)。通常，具有在约780-3000nm(或更大)的波长的辐射认为是IR辐射。UV是指约100-400nm的波长的辐射。在光刻术中，它还典型地应用可以由汞放电灯产生的波长：G线436nm、H线405nm和/或I线365nm。VUV是真空UV(即被空气吸收的UV)且表示约100-200nm的波长。DUV是深UV，且典型地用在由准分子激光器产生的例如126nm-248nm的波长的光刻术中。本领域技术人员理解具有在例如5-20nm范围内的波长的辐射涉及具有至少一部分在5-20nm的范围内的特定波长带的辐射。

图2更详细地示出了投影设备1，包括辐射系统42、照射光学装置单元44和投影系统PS。辐射系统42包括辐射源SO，所述辐射源SO可以由放电等离子体形成。EUV辐射可以由气体或蒸汽产生，例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽，在这些气体或蒸汽中产生了非常热的等离子体，以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。非常热的等离子体由通过例如放电导致至少部分电离的等离子体来产生。对于有效地产生辐射来说，可能需要例如分压为10Pa的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其它适合的气体或蒸汽。在一种实施例中，将Sn源用作为EUV源。由辐射源SO发射的辐射从源腔47经由可选的气体阻挡件或污染物阱49(也被表示为污染物阻挡件或翼片阱)传递至收集器腔48中，该气体阻挡件或污染物阱49被定位在源腔47的开口中或其后面。污染物阱49可以包括通道结构。污染物阱49还可以包括气体阻挡件或者气体阻挡件和通道结构的组合。进一步地在此处显示的污染物阱或污染物阻挡件49至少包括如在本领域中已知的通道结构。

收集器腔48包括辐射收集器50(在此处也被称为收集器反射镜)，其可以由掠入射收集器形成。辐射收集器50具有上游辐射收集器侧50a和下游辐射收集器侧50b。通过收集器50的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光片51，以被聚焦在收集器腔48中的孔阑处的虚源点52上。来自收集器腔48的辐射束56在照射光学装置单元44中经由正入射反射器53、54被反射到定位在掩模板台或掩模台MT上的掩模板或掩模上。形成了图案化的束57，其在投影系统PS中经由反射式元件58、59被成像到晶片台或衬底台WT上。通常，比所示出的元件更多的元件可以大致出现在照射光学装置单元44和投影系统PS中。光栅光谱滤光片51可以依赖于光刻设备的类型，可选择地出现。此外，可以出现比图中显示的更多的反射镜，例如可以设置比反射式元件58、59多1-4个的反射式元件。辐射收集器50在现有技术中是已知的。

替代作为收集器反射镜50的掠入射反射镜，可以使用正入射收集器。在一种实施例中，如此处描述的收集器反射镜50具体地可以是具有反射器142、143和146的巢状收集器，且如在除图2之外的其它图中示意性地示出的在此处进一步用作为收集器(或收集器反射镜)的例子。因此，在可应用的情况下，作为掠入射收集器的收集器反射镜50还可以通常被解释为收集器，而在一个实施例中也可以被解释成正入射收集器。

此外，除了光栅光谱滤光片51之外，如图2中示意性地显示的，可以应用透射式滤光片，或在一个实施例中根本不使用滤光片。对于EUV是透射的和对于UV辐射是较不透射的或甚至基本上吸收UV辐射的滤光片在现有技术中是已知的。因此，“光栅光谱纯度滤光片”在此处被还表示为“光谱纯度滤光片”，其包括光栅或透射式滤光片。未在图2中示出的但被包含作为可选的光学元件的可以是EUV透射式滤光片(例如布置在收集器反射镜50的上游)或在照射单元44和/或投影系统PS中的光学EUV透射式滤光片。

在一种实施例(也参见上文)中，辐射收集器50可以是掠入射收集器。收集器50被沿着光轴O对准。源SO或其所成的像可以位于光轴O上。辐射收集器50可以包含反射器142、143、146(也被称为包括多个沃尔特(Wolter)型反射器的Wolter型反射器)。有时，它们也被称为壳。这些反射器(或壳)142、143、146可以是巢状的且是关于光轴O可旋转对称的。在图2中(以及在其它图中)，内部反射器由参考标记142表示，中间反射器由参考标记143表示，而外部反射器由参考标记146表示。辐射收集器50包围特定体积，即在外部反射器146内的体积。典型地，虽然可设置小的开口，但是在外部反射器146内的这一体积被圆周地封闭。所有的反射器142、143和146包含至少部分地包含反射层或多个反射层的表面。因此，反射器142、143和146(可以设置更多的反射器和具有多于3个的反射器或壳的辐射收集器(也被称为收集器反射器)50的实施例被包含在本文中)，被至少部分地设计用于反射和收集来自源SO的EUV辐射，至少一部分反射器可以不必设计用于反射和收集EUV辐射。例如，反射器的后侧的至少一部分可以不必设计用于反射和收集EUV辐射。后者的部分也可以称为后侧。在这些反射层的表面上，另外可以具有用于保护的覆盖层或设置在反射层的表面的至少一部分上的用作滤光片的覆盖层。

辐射收集器50典型地设置在源SO的附近或源SO的像中。每一反射器142、143、146可以包括至少两个相邻的反射表面，离源SO更远的反射表面以比更靠近源SO的反射表面与光轴O所成的角度更小的角度设置。这样，掠入射收集器50被配置成产生沿光轴O传播的(E)UV辐射束。至少两个反射器可以大致共轴地设置和延伸且围绕光轴O是基本上旋转对称的。应当理解，辐射收集器50可以具有在外反射器146的外表面上的另外的特征或围绕外反射器146的另外的特征，例如保护性保持器、加热器等。附图标号180表示两个反射器之间的空间，例如在反射器142和143之间的空间。

参考图1和2，光刻设备1中的传感器(即内部传感器)可以位于光刻设备1中的任何位置，诸如在辐射系统42、照射单元44和/或投影系统PS等中。本领域技术人员可知，绘出所有可能的传感器和传感器位置将是多余的，而通过举例的方式，在图1中示出了两个位置传感器IF1和IF2。这样的传感器可以用于掩模MA或晶片W的对准。如上所述，传感器可以例如是晶片台传感器、掩模台传感器、检测器传感器、收集器传感器、照射器传感器、位置传感器(诸如位置传感器IF1和IF2)、能量传感器等。所述传感器可以被布置以测量对准、照射、位置等。在一种实施例中，传感器的感测表面包括钌。

图3a和图3b更详细地示意性地示出了具有感测表面202的传感器201的侧视图。图3c和3d示意性地示出了立体图，在此处微小反应器(参见下文)在阶段I(图3c)期间未被布置在感测表面202的上方且在阶段II(图3d)期间被布置在感测表面202的上方。在阶段II中，可以应用根据本发明处理感测表面202的方法。图3e示意性地示出了与图3a中示出的实施例相关的可替代实施例，其中微小反应器具有延伸的边缘(参见下文)。

现在将具体参考图3a-3e进一步描述本发明的实施例。

感测表面202可以是基本上平坦的，但是还可以是凹的或凸的(也参见图3b)。传感器201布置在光刻设备1中的位置上，即它是内部传感器。为了说明在这种情形中的传感器201，用于传感器的支撑件(诸如壁、掩模台、晶片台、反射镜等)用标记200表示。感测表面202可以经受碳质沉积物(也被称为含碳的沉积物，用标记291表示)，诸如碳沉积或碳氢化合物沉积物。由于在光刻设备1中或用于光刻处理的泵、润滑剂、抗蚀剂等的使用，可以形成这样的含碳沉积物291。沉积物291还可以表示成碎片。含碳沉积物291看上去是可被氢基(用H^*表示)至少部分移除的，其可能导致挥发性碳氢化合物的形成(诸如甲烷)。这可以通过一个或更多的泵(未示出)抽出，所述泵可以被布置以在光刻设备1中(在光刻处理期间)保持低于大气压的压力。

使用氢基的潜在缺点可能是它们还与光刻设备1中存在的其它材料反应。光刻设备1可以包括锡(Sn，例如焊料中的锡)或锌(Zn，例如作为不锈钢中的微量元素)以及还有Sn(例如由于Sn源造成的Sn沉积物)。当氢基被释放时，它们还与其它金属或金属氧化物反应，从而可能形成金属氢化物(诸如ZnH₂或SnH₄等)，其可以再次沉积在光学元件上。这样的过程可以被称为“氢引起的脱气(hydrogen induced outgassing)”。这是不被期望的。因此，期望从感测表面202移除包含碳的沉积物291，同时不使光刻设备中存在的其它表面(尤其是包含Zn或Sn的表面)受氢基影响。本发明的另一潜在优点是因为并不是光刻设备1的所有的部件都适应于原子H，且因为对于本发明来说所述根可能不能基本上从微小环境移出，所以现在材料的适应性可能是较不重要的问题或不再是一个问题。

因此，本发明提供了光刻设备1的一个实施例，所述光刻设备1包括这样的内部传感器201且另外地包括微小反应器210，其中传感器201或微小反应器210、或者传感器201和微小反应器210是可运输的。微小反应器210可以包括用于包含氢的气体226的进口220、氢基产生器260和用于包含氢基的气体266的出口230。本领域技术人员应当清楚，术语“进口”和“出口”还可以分别表示多个进口和多个出口。微小反应器210具体地被布置以在根据本发明的实施例的用于处理传感器201的感测表面202的方法中使用微小反应器210期间，产生包括氢基的局部微小环境255至感测表面202，用于处理感测表面202。在一个实施例中，微小反应器210可以被布置以对传感器201的感测表面202进行净化。有利地，挥发性氢化物被以这种方式从微小环境255中移出且被排放，从而基本上防止了挥发性氢化物在感测表面202上的沉积。包含氢基的气体266的气流可以是脉冲式的或连续的。

这样，感测表面202，尤其是基本上仅感测表面202可以被用氢基处理，且基本上不使光刻设备1中的其它部件或物品受氢基影响，这是因为微小反应器210和传感器201(更具体是感测表面202)被布置成一个在另一个的上方(或者反之亦然)。因此，在此处使用了术语“微小环境”。

可以将本领域中已知的装置和方法用于将传感器201从用于感测的位置运送至用于处理的位置，反之亦然，其中微小反应器210被运送至传感器201，或上述两者可以被彼此地运送。这样的装置可以包括运送器，该运送器包括轨道、可移动臂、缩叠臂、晶片台、掩模台等。通过举例的方式，在图3a中，示意性地示出了运送器215，其在这一实施例中允许运送微小反应器210。运送器215可以例如是缩叠臂。在示意性示出的实施例中，运送器被连接至光刻设备壁1001。在此处，示出运送器215被布置以运送微小反应器210。然而，运送器215还可以被用于运送传感器201，或可以采用用于运送微小反应器210的运送器215和用于运送传感器201的第二运送器215。

在图3b中，示意性地示出的运送器215包括轮子，允许传感器201或实际上其上设置有传感器201的支撑件200被运送。在此处，运送器215可以例如在光刻设备底部1002上进行运送。

微小反应器210包括氢基产生器260，即在微小反应器210内来自包含氢的气体226的氢分子总量的至少一部分被转换成氢基，即包含氢基的气体266。氢基产生器260可以包括由从一个或更多的振荡场电极、磁控管RF产生器和一个或更多的热(即可加热的)丝构成的组中选择的一个或更多的氢基产生器260。在一种特定的实施例中，氢基产生器260包括被布置以被加热的丝，用于将分子态氢转换成氢基。

图3a-3b示意性示出了这样的实施例，其中，所述丝用标记265表示。在一个实施例中，丝265可以是例如W(钨)或Ta(钽)线或线圈(或本领域技术人员已知的另外材料)，依赖于材料的种类和期望的温度和需要的温度，其可以被加热至例如约1500-3000°K或甚至更高，用于在包含H₂的气体100中使全部H₂分子的至少一部分的H₂的化学键解离。

在一个实施例中，可以通过沿着热丝引导包含氢的气体226来提供氢基，从而制造了包含氢基的气体266。在一个实施例中，包含氢的气体226包括从由H₂、HD，D₂，HT，DT和T₂构成的组中选择的一种或更多的气体。在此处，术语“包含氢的气体”是指包含氢分子的气体(即H₂及其类似物)。术语“包含氢基的气体”是指包括氢基的气体(即H及其类似物)。氢原子或氢基的类似物包括D(氘)和T(氚)，H₂的类似物包括D₂，T₂，HD，TD，和HT。为了简便起见，H₂(包括其类似物)和H(包括其类似物)被另外地分别表示成H₂和H。因此，H₂可以表示从由H₂，D₂，T₂，HD，TD和HT构成的组中选择的一种或更多种，H可以表示从由H，D和T构成的组中选择的一种或更多种。在此处，术语“包含氢的气体”尤其涉及包括这样的分子的气体或由这样的分子构成的气体，例如在包含H₂的H₂稀释的气体的情形中，诸如H₂和一种或更多的惰性气体(诸如He)的混合物。在此处，术语“包含氢基的气体”尤其涉及包括这样的根的气体，其气体进一步地通常包括H₂和一种或更多种惰性气体(诸如He)。

这一包含氢基的气体266的至少一部分经由出口230从微小反应器210流出。氢基与感测表面202上的沉积物291形成接触，沉积物(尤其是包含碳的沉积物)可以被移除。用标记290(参见图3b)表示的废气可以通过排气装置(未示出)排出，该排气装置与微小反应器210是一体的或被布置在其它地方。

本发明的实施例可以规定局部的微小环境255基本上仅被提供至感测表面202。在一种实施例中，所述方法包括至少部分地清洁感测表面202以除去含碳沉积物291(诸如碳沉积物和/或碳氢化合物的沉积物)。这可能允许材料的选择自由度更大，尤其是非传感器材料，这是因为这些材料基本上不受氢基(即包含根的气体)影响。局部的微小环境255在感测表面202上方的体积中形成，且不远离感测表面202。因此，用标记250表示的传感器201的环境可能基本上不包含或接收氢基。注意到，氢基可能相对快速地(再)聚集；因此，可以产生包含氢基的局部微小环境255，而用标记250表示的(另外的)环境基本上不包含或接收氢基。这样，环境250可能不遭受氢引起的脱气和/或材料劣化。

这例如是在图3b-3d中示出的。当进行处理时，氢基(即包含氢基的气体266)可以基本上不迁移至离反应器210很远的位置。用标记L2表示氢基可以从微小反应器210移动离开的距离，且所述距离可以例如在小于约5cm(诸如0-5cm或在0-2cm或甚至0-1cm)的范围内。在微小环境255外面的氢引起的脱气将因此被极大地限制。这并不意味着氢气不会扩散至更远的地方，而是这样的气体基本上不再包含氢基。

氢基的迁移可以尤其通过采用微小反应器210的外部部件来防止，尤其是采用反应器腔的外部部件，其可以被布置成引导至感测表面202的一部分和/或其周围(即环境250)，可以包括具有约大于0.02或约大于0.1的氢基表面再结合系数的材料(也参见下文)。因此，通过采用这样的部件，可以促进氢基的再结合，因此可以减小氢基(进一步地)到光刻设备1中的运送，且可以局部地维持(至感测表面202的)局部微小环境。

可以通过源225提供包含氢的气体，其可以在光刻设备1中或在光刻设备1的外部。另外，假定丝265可以被加热，则可以提供电压源264，其也可以位于光刻设备1中或在光刻设备1的外部。

在一种实施例中，微小反应器210可以包括具有腔开口240的反应器腔241。这一腔开口240可以至少部分地与出口230重合。然而，氢基产生器260还可以被布置在被包含在微小反应器210中的独立的腔。例如，微小反应器210可以由一个或更多的腔构成，例如两个腔。在示意图中，仅示出了一个腔。然而，微小反应器210可以例如包括具有出口230的氢基产生腔，所述氢基产生腔被布置以产生氢基，且在其下游处布置了一个腔以经由出口230接收在氢基产生腔中产生的氢基的总量的至少一部分且所述腔被布置以产生至感测表面202的微小环境255。未示出这样的实施例。因此，在一种实施例中，在处理方法中使用微小反应器210期间，出口230被布置以提供包含氢基的气体266至传感器201的感测表面202，尤其是如示意图中显示地当出口230大致与反应器腔开口240重合时。然而，出口230另外可以在一个实施例中被布置以在所述处理方法中使用微小反应器210期间将包含氢基的气体266提供至在出口的下游的独立的反应器腔241。之后，包含氢基的气体266可以经由反应器腔开口240从反应器腔241被提供至传感器201的感测表面202(未示出这一实施例)。

在图3a和3b中示意性地示出的实施例中，微小反应器210包括反应器腔241，其中反应器腔241还包括氢基产生器260，其中出口230基本上与反应器腔开口240重合。反应器210和在这一实施例中反应器腔241另外具有壁212，所述壁212设置有内部表面211。

在此处，反应器腔241尤其被布置成使得当反应器201和微小反应器210被布置用于处理时，反应腔241的反应器腔开口240被引导至感测表面202。这样的反应器腔开口240可以被布置以被移动至在感测表面202的附近的位置，或者感测表面202可以被布置以被移动至反应器腔开口240的附近，或反应器腔开口240和感测表面202可以被布置以移动至它们在彼此附近的各自位置。

当反应器腔开口240和感测表面202被适当地设置在彼此附近的位置上时，可以获得了一种配置，其中可以应用处理感测表面202的方法，尤其是在由反应器腔241和感测表面202基本上封闭的体积内。在图3a和3b中示意性地示出了这一配置；在图3c中，传感器201和微小反应器210被偏置(诸如例如可以是在执行根据本发明的用于处理感测表面202的方法之前或之后的情形)，其用阶段I表示，且被使得到达阶段II(图3d)中的彼此附近的位置(通过移动微小反应器210、通过移动传感器201或通过移动上述两者)，其还可以被表示成处理阶段(即感测表面202被根据本发明的方法进行处理的阶段)。基本上由反应器腔241和感测表面202封闭的体积用标记242表示。

感测表面202可以具有感测表面面积或感测表面横截面面积，其用标记205表示(参见图3c和3d)。当感测表面202基本上是平坦的时，如图3a所示，采用感测表面面积；当传感器例如是凸的时，如图3b所示，或是凹的时，采用感测表面横截面面积。这些都用标记205表示。所述面积通常将在约1mm²至100cm²的范围内。注意到，术语“传感器”201还可以包括多个传感器201，诸如传感器阵列。另外，反应器腔开口240可以具有腔开口面积。这一腔开口面积用标记245表示(图3c和3d)。当反应器腔开口面积245小于感测表面面积或感测表面横截面面积205时，可以通过“扫描”感测表面202来清洁感测表面202，即将反应器腔开口240布置在感测表面202上方的不同位置处。再次，这可以通过运送传感器201、或微小反应器210或通过移动传感器201和微小反应器210来执行。

注意到此处的术语“在上方”并不意味着微小反应器210位于感测表面202的上方，而是感测表面202和微小反应器210、或反应器腔开口240彼此靠近，且包含氢基的气体260可以到达感测表面202，例如在小于约2cm(诸如0.2-2cm)的距离处，或在小于约1cm(诸如0.2-1cm)的距离处。这些距离采用反应器腔开口240和感测表面之间的最短距离以及微小反应器210和感测表面202之间的最短距离，它们分别用标记L3和L4表示，且在图3a-3e中是基本上一致的。

在图3a、3b和3e中，微小反应器210位于顶部，但是这些侧视图可以在0-360°的范围内进行任何旋转(在附图的平面中)，且仍然代表了根据本发明的可行的布置。

反应器腔开口面积245可以基本上等于或大于感测表面面积或感测表面横截面面积205。在这样的实施例中，可以是反应器腔241可以甚至部分地包围感测表面202。尤其在腔开口面积245具有上述的尺寸或小于感测表面面积或感测表面横截面面积205时，可以基本上仅对于感测表面202产生微小环境255。在一种实施例中，微小反应器210可以布置以产生基本上仅至感测表面202的局部微小环境255。因此，反应器腔开口面积245同感测表面面积或感测表面横截面面积205的比尤其在约0.2-2或约0.5-2的范围内，或在约0.5-1.5的范围内，或在约0.5-1.2的范围内。反应器腔开口面积245同感测表面面积或感测表面横截面面积205的比可以在约1-2或约1.05-2的范围内、或在约1.1-1.5的范围内或在约1.1-1.2的范围内。

当感测表面面积或感测表面横截面面积205小于反应器腔开口面积245时或当传感器201(即传感器横截面)小于反应器腔开口面积245时，腔开口240可以至少部分地在感测表面202或传感器201上方滑动。在图3b中，这将意味着微小反应器210沿支撑件200的方向(进一步)移动，直至恰好基本上包围感测表面202为止。

光刻设备1可以在一个实施例中进一步包括用标记270表示的冷却元件，所述冷却元件被布置以冷却微小反应器210的至少一部分。这样，可以冷却反应器壁212的内表面211，尤其是反应器腔241的反应器壁的内表面。这可能有利于保护该壁。还可能有利于在根据本发明的处理期间从感测表面202排出的碳氢化合物的沉积物。这还可以允许实现清洁动作对光刻设备1和/或其元件的热稳定性的作用被限制，即可能限制对微小反应器210的环境250的处理的效果。

在一特定的实施例中，反应器壁212的内表面211，尤其是反应器腔241的反应器壁212的内表面211，可以包括基本上不会与氢或氢基或氢和氢基两者反应的材料，尤其在处理条件下。例如，这样的壁212或尤其是表面211可以由铝或不锈钢构成。在一种实施例中，反应器腔241的内表面211可以包括具有约小于等于0.02的氢基表面再结合系数的材料，而在一个变形中包括具有小于等于0.001的氢基表面再结合系数的材料。使用满足这一标准的这样的材料或材料的组合，看上去与具有大于0.02的氢基表面再结合系数的材料相比使得氢基再结合降低。可以在文献尤其是W.V.Smith，″The surface recombination of H atoms and OH radicals″，J.Chem.Phys.11，110-125(1943)和B.J.Wood，H.Wise，″Kinetics of Hydrogen Atom Recombination on Surfaces″，J.Phys.Chem.65，1976-1983(1961)中找到有关再结合系数的信息。在一种实施例中，壁212可以包括不锈钢或铝，在一特定实施例中，壁212包括设置有具有低根表面再结合系数的涂层(诸如石英或Si₃N₄或在下文描述的或本领域技术人员已知的其它材料)的不锈钢或铝(即在一个实施例中是内表面211)。在一种实施例中，用标记219表示的微小反应器210的外部部件，尤其是反应器腔241的外部部件，可以被布置以被引导至感测表面202的一部分和/或其周围(诸如衬底200)，可以包括具有约大于0.02或约大于0.1的氢基表面再结合系数的材料。

在图3c-3e中示出了一个例子。在图3c和3d中，壁212的边缘(用作外部部件219，即被布置在最下游处的壁212的一部分)被布置以在执行处理感测表面202的方法期间被引导至感测表面202，所述边缘用标记213表示，其包括具有相对高的根表面再结合系数的这样的材料216(用作涂层或外表面)，即具有至少约0.02的表面再结合系数。

在图3e中，壁212具有延伸边缘217(用作外部部件219)，从而产生一种“帽子形状”，其中用标记218表示的延伸边缘的下游表面包括具有相对高的根表面再结合的这样的材料216。再次，另外地延伸边缘下游表面217被布置成在执行处理感测表面202的方法期间被引导至感测表面202。

下述的表1示出了许多材料和它们各自对于氢基的表面再结合系数。

表1：对于各种材料的氢表面再结合系数γ(在约300-800K的范围内)

在微小反应器210中，尤其是在反应器腔241中，的H₂分压，可以是在约0.1-100Pa的范围内，氢基分压可以在约1×10^-5至10Pa范围内，诸如在1×10^-4至1Pa范围内。因此，在局部微小环境255内，H₂的分压也可以在约0.1-100Pa的范围内，氢基分压可以在约1×10^-5至10Pa范围内，诸如在1×10^-4至1Pa范围内。

本发明还提供了一种用于处理光刻设备的内部传感器201的感测表面202的方法，所述光刻设备例如但不限于在此处描述的光刻设备1，其中所述方法包括：提供包括氢基的局部微小环境255至感测表面202；和用氢基处理感测表面202。因此，本发明还提供了用于处理的原位方法，尤其是清洁除掉传感器201的感测表面202的碳质沉积物的方法。

所述方法还可以包括对处理结果进行评估，例如通过评估来自感测表面202的脱气。例如质谱仪可以探测碳氢化合物。当达到碳氢化合物的预定的下限时，可以终止所述处理。因此，光刻设备1还可以包括被布置以评估处理结果的处理传感器。这样的处理传感器被示意性地显示在图3a和3b中，且用标记280表示。

所述方法可以进一步包括(用传感器，诸如传感器280的一个实施例)评估经过处理的感测表面202。依赖于所述评估，所述处理可以例如是持续的，直至获得了特定的预定的结果为止，例如照射到感测表面202上的光的这样的预定的反射或折射值，或所述处理可以被终止(或例如当特定的预定结果被获得时)，和例如光刻处理(即器件的制造)可以是持续的。可替代地，可以在预定的时间(例如在校准之后被定义的)之后终止所述处理。

可以在用光刻设备1制造器件之前或之后采用处理感测表面202的方法。然而，本发明还在另一个方面中提供了使用例如在此处描述的光刻设备1的器件制造方法，其中在制造器件时，在器件制造方法过程中没有使用传感器201的制造阶段期间，采用了用于处理传感器201的感测表面202的方法，其中所述方法包括：提供包括氢基的局部微小环境255至感测表面202；和用氢基处理感测表面202。因此，如上所述，本发明还提供了用于所述处理的原位方法，尤其是用于清洁除去传感器201的感测表面202的碳质沉积物的方法。

图3c和3d例如示意性地示出了在处于偏置阶段I(图3c)中时或处于处理阶段II(图3d)中时传感器201和微小反应器210的立体图，在处于偏置阶段I(图3c)中时，例如因为在制造器件时(例如在对准时)使用传感器201。在这一实施例的这一示意图中，传感器201或更具体地感测表面202例如是基本上圆形。感测表面202的尺寸(诸如长度/宽度或直径)用L1表示，且可以使得感测表面面积205将通常位于约1mm²至100cm²的范围内(也参见上文)。当在器件制造方法(即光刻处理)期间不使用传感器201时，例如在对准之后，传感器201或微小反应器210或者传感器201和微小反应器210两者可以被运送，使得微小反应器210被布置在感测表面202的上方。之后，可以采用处理感测表面202的方法，可以从感测表面202清除掉含碳化合物。

氢基可以移动离开微小反应器210(或更具体地是感测表面202)的距离用标记L2表示，且可以例如在小于约5cm(诸如0-5cm或0-2cm或甚至0-1cm)的范围内。因此将限制在微小环境255外面的氢引起的脱气(且甚至可以通过采用具有相对高的表面氢基结合系数的上述材料而被减小脱气)。这并不意味着，氢气不会扩散至更远的位置，而是这样的气体基本上不再包括氢基。另外，气态的气态产物可能基本上不会移动返回至感测表面以被再次沉积。因此，传感器201的环境250(在此处例如是支撑件200)基本上不会经受氢基反应，其使得在传感器201的环境250中出现的材料的选择变得不太困难。

在特定实施例中，光刻设备1包括被构造以产生EUV辐射的辐射源，其中所述辐射源是Sn等离子体源。在此处，术语“被构造以产生EUV辐射”尤其是指被设计以产生EUV辐射和被设计用在EUV光刻术中的源。在实施例的特定的变形中，辐射源分别包括激光产生等离子体源(LPP)或放电产生等离子源(Sn等离子体源)。

光刻设备1在一个实施例中包括：被配置以调节辐射束的照射系统；被构造以支撑图案形成装置的支撑件，所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；被构造以保持衬底的衬底台；和被配置以将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的投影系统。在一个变形例中，光刻设备1是EUV光刻设备1。光刻设备1包括被构造以产生辐射束的辐射源，所述辐射束在一个实施例中具体地是EUV辐射束，辐射源被构造以产生EUV辐射。

因此，本发明在一个实施例中提供了具有内部传感器201的光刻设备1。光刻设备1还具有微小反应器210。传感器201或微小反应器210或者传感器201和微小反应器202是可运送的。传感器201具有感测表面202。微小反应器210包括用于包含氢的气体的入口、氢基产生器和用于包含氢基的气体的出口。微小反应器210被布置以在用于处理传感器201的感测表面202的方法中使用微小反应器210期间产生至感测表面202的包括氢基的局部微小环境，用于处理感测表面202。这样，感测表面202可以被局部清洁，而不会对感测表面202的环境造成实质影响。因此，在一个实施例中，根据本发明的实施例的方法和微小反应器210允许产生至感测表面202的微小环境255，而同时削弱或甚至避免光刻设备1的其它部分暴露给氢基(即包含氢基的气体266)。

在一种实施例中，此处的术语“基本上”表示“完全地”。在另一实施例中，尤其是当涉及数值时，它例如可以表示约95-100％。本领域技术人员应当能够理解术语“基本上”。同样，此处的术语“至少部分地”在一种实施例中表示“完全地”。在另一实施例中，它可以例如表示约95-100％。术语“包括”也包含其中术语“包括”表示“由…构成”含义的实施例。

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备1用于制造IC，但应当理解这里所述的光刻设备1可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、包含液晶显示器(LCD)的平板显示器、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处公的开内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

尽管以上已经做出了具体的参考，在光学光刻术的情形中使用本发明的实施例，但应该理解的是，本发明可以用于其他应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。

尽管以上已经描述了本发明的特定的实施例，但是应该理解的是本发明可以以与上述不同的形式实现。例如，本发明的实施例可以采取包含用于描述上述公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有在其中存储的这种计算机程序的数据存储介质的形式(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。该计算机程序可以用于控制沉积物的去除，用于控制压力等。

以上的描述的意图是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。动词“包括”和其组合的使用不排除在权利要求中陈述的这些之外的元件或步骤的存在。在元件前面的“一”或“一个”不排除多个这样的元件的存在。例如，术语“一个传感器201”因此还可以在一个实施例中涉及多个(不相邻的)传感器201。在一种实施例中，微小反应器210还被布置以处理多个(不相邻的)传感器201的多个感测表面202，尤其是依次处理这样的表面202，因此分别为每个感测表面202产生微小的环境255。

本发明不限于光刻设备1的应用或用于在实施例中描述的光刻设备1中。另外，附图典型地仅包括用于理解本发明的元件和特征。除此之外，光刻设备1的附图是示意性的，而不是按照比例绘制的。本发明不限于在示意图中显示的这些元件。此外，本发明不限于关于图1或2描述的光刻设备1。应当理解，上述的实施例是可以组合的。