法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-05-13
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/46 申请公布日:20110105 申请日:20090630
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-06-13
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/46 申请日:20090630
实质审查的生效
2011-01-05
公开
公开
机译: 发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译: 具有包含N作为V族元素的III-V族化合物半导体材料的外延层的光半导体装置
机译: 用于基于第一III / V族化合物半导体材料系统(SMS)的外延结构元件的制备方法,其中在半导体技术中有用的衬底或缓冲层上具有第一V族元素