用于制造集成电路设备以增加完善性、性能和可靠性的高产出和高效能方法

摘要

本发明提供一种接触开口(例如一贯孔)的形成方法，其中在暴露形成于基板中的导体前，于开口底侧沉积一牺牲层，以避免对构成集成电路元件的材料产生损害与污染；所述暴露可于导体中形成、或不形成凹部。本发明也提供一种在导体中具有凹部的接触开口的形成方法，其中在暴露导体后、但在导体中形成凹部前沉积一牺牲层，以避免产生与凹部形成相关的主要损害和污染。通过在利用本发明所形成的接触开口上形成一沟槽特征，即可形成一双重嵌入特征。通过在本发明所形成的各种嵌入互连特征上进行其他嵌入式工艺步骤，可形成如单一嵌入平面连接柱、单一嵌入嵌入式连接柱、与具有平面连接柱或嵌入式连接柱的各种双重嵌入式互连系统。