BIPOLAR TRANSISTORS; BIPOLARITY; CHIPS (ELECTRONICS); FABRICATION; INTEGRATED CIRCUITS; SINGLE EVENT UPSETS; ADDITIVES; BIAS; ELECTRIC POTENTIAL; POLARITY; SUBSTRATES;
机译:绝缘体上硅器件和集成电路中的单事件翻转和回跳
机译:重离子宽束和微探针研究0.20- / splμm/ m SiGe异质结双极晶体管和电路中的单事件扰动
机译:重离子能量和核相互作用对集成电路中单事件翻转和闩锁的影响
机译:28nm硅集成电路中的双光子吸收增强的激光辅助装置改变和单事件扰乱
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:CRISPR转录抑制装置和哺乳动物细胞中的分层电路
机译:重离子宽束和微探针研究0.20-μmsiGe异质结双极晶体管和电路中的单事件干扰