半导体干式工艺后的残渣除去液和使用该残渣除去液的残渣除去方法

摘要

本发明提供一种含有表面保护剂的干式工艺后的残渣除去液，其能够实现使用现有的聚合物剥离液不能解决的防止Cu表面龟裂和粗糙、同时防止Cu表面氧化，本发明还提供一种使用该残渣除去液的半导体设备的制造方法。本发明的残渣除去液用于除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣，其含有Cu表面保护剂、能够与Cu(铜)形成配位化合物或螯合物的化合物和水，该残渣除去液的pH为4～9，其中，Cu表面保护剂由选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种的化合物构成，(1)是含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(2)是含有具有式：-N＝C(SH)-X-(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。