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使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法

摘要

本发明涉及使用利文森型掩模的图形形成方法及该掩模的制造方法,该图形形成方法,包括具有第一最小尺寸(Dmin1)的第一图形部(10a)和第二最小尺寸(Dmin2)的第二图形部(10b),其中包括使用利文森型掩模进行曝光的第一曝光步骤和使用半色调型掩模进行曝光的第二曝光步骤。第二最小尺寸(Dmin2)为第一最小尺寸(Dmin1)的1.3倍以上时,第二曝光步骤的曝光量设为第一曝光步骤的曝光量以下。

著录项

  • 公开/公告号CN102073224B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞萨电子株式会社;

    申请/专利号CN201110040479.8

  • 发明设计人 奥野满;茂庭明美;

    申请日2006-12-15

  • 分类号G03F7/20(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李浩;高为

  • 地址 日本神奈川县川崎市

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-26

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后: 申请日:20061215

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2012-11-28

    授权

    授权

  • 2012-11-28

    授权

    授权

  • 2011-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20061215

    实质审查的生效

  • 2011-07-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20061215

    实质审查的生效

  • 2011-05-25

    公开

    公开

  • 2011-05-25

    公开

    公开

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