InP基平面型背入射雪崩光电二极管及其制造方法

摘要

一种InP基平面型背入射雪崩光电二极管，包括：一衬底；一缓冲层制作在衬底上；一吸收层制作在缓冲层上；一过渡层制作在吸收层上；一电场控制层制作在过渡层上；一雪崩倍增层，该雪崩倍增层制作在电场控制层上；其中该雪崩倍增层上面的中央区域形成有一凹陷部，该凹陷部的边缘为倒台阶状结构；该雪崩倍增层的上面凹陷部的外侧制作有浮动保护环；该凹陷部包括：一P型掺杂层形成在凹陷部的底面，一钝化保护层形成在P型掺杂层和雪崩倍增层的表面，该钝化保护层的中心形成有一接触通孔，一P电极制作在钝化保护层中间的底部；一n电极制作在衬底的背面，在n电极的中间形成光入射窗口。