平面型InGaAs/InP盖革模式APD边缘击穿的抑制方法研究

摘要

在平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管帽层InP中,通过扩散或离子注入工艺形成的PN结边缘处会因曲率效应提前击穿,这对盖革模式工作状态下的器件性能有很大的影响.利用刻蚀坑的方法可以有效地抑制此效应.离化积分包含了电场和倍增层厚度两部分信息,可以准确地预测器件是否击穿.本文通过测量闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度--即不同扩散深度下的最佳刻蚀坑深度.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度应该在0.1μm-0.3μm之间.