具有被约束的自旋电子掺杂剂的自旋电子器件及相关方法

摘要

一种自旋电子器件，可以包括至少一个超晶格和至少一个与所述至少一个超晶格耦合的电接触件，所述至少一个超晶格包含多个层组。每一个层组都可以包括限定具有晶格的基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层、约束在邻近基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层、以及自旋电子掺杂剂。该自旋电子掺杂剂可以被所述至少一个非半导体单层约束在基础半导体部分的晶格内。在一些实施例中，可以不需要超晶格的重复结构。